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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利碳化硅粉料合成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121044584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511604882.7，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权碳化硅粉料合成方法及装置是由郑鉴唯;林雨生;徐红立;夏斌设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅粉料合成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种碳化硅粉料合成方法及装置，涉及碳化硅粉料合成技术领域，以改善现有碳化硅合成过程中对逸出的气相硅回收效率低，回收效果不理想的技术问题。其包括以下步骤：S1、将合成原料盛装于坩埚中，合成原料包括碳粉和硅粉；S2、加热坩埚，以使得硅粉升华并形成气相硅；其中，一部分气相硅与碳粉反应并形成碳化硅，另一部分气相硅挥发逸散；S3、对逸散的气相硅进行回收，使逸散的气相硅再次参与反应并形成碳化硅，直至碳化硅粉料合成过程结束。本发明通过对逸散进入回收区的气相硅进行原位回收，具有较高的硅源回收效率。

本发明授权碳化硅粉料合成方法及装置在权利要求书中公布了：1.碳化硅粉料合成方法，其特征在于，包括： 将合成原料1111盛装于坩埚100中，坩埚100包括坩埚体110以及盖设在所述坩埚体110上的坩埚盖120，坩埚盖120上设置有冷凝板300，合成原料1111包括碳粉和硅粉；所述冷凝板300靠近所述合成原料1111的一侧表面上阵列设置有多个导流件360；所述导流件360包括导流面361以及至少一个尖锐部362；加热坩埚100，以使得硅粉升华并形成气相硅；其中，一部分气相硅与碳粉反应并形成碳化硅，另一部分气相硅挥发逸散； 对逸散的气相硅进行回收，使逸散的气相硅再次参与反应并形成碳化硅，直至碳化硅粉料合成过程结束； 对逸散的气相硅进行回收的方法为： 使逸散的气相硅在导流面361上液化并形成液相硅，液相硅能够在所述尖锐部362处聚集，并在重力作用下被回收至反应区111；所述反应区111内阵列设置有多个两端开口的收集管500，且多个所述收集管500与多个所述导流件360对应设置；所述收集管500的一端埋设于所述合成原料1111中，所述收集管500的另一端向回收区112延伸，液相硅在重力作用下被回收并再次参与反应形成碳化硅。

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