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龙图腾网获悉光本位智能科技(上海)有限公司申请的专利一种薄膜铌酸锂和透光基板波导体系的异质集成方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121028408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511582512.8，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种薄膜铌酸锂和透光基板波导体系的异质集成方法及结构是由程唐盛;薛乐杰;保睿;李左玺设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜铌酸锂和透光基板波导体系的异质集成方法及结构在说明书摘要公布了：本发明涉及光子计算技术领域，尤其涉及一种薄膜铌酸锂和透光基板波导体系的异质集成方法及结构，其中，该异质集成方法包括步骤：S101，在透光基板的第一表面上沉积掩护层，所述掩护层用于在后续刻蚀过程中保护所述透光基板，同时用于提高所述透光基板与光之间的光耦合作用；S102，在所述掩护层的第二表面上沉积第一波导层；S103，在所述第一波导层周围沉积覆盖层，所述覆盖层与所述第一波导层的上表面平齐；S104，在所述第一波导层和所述覆盖层上沉积第二波导层；其中，所述第二波导层为薄膜铌酸锂层。

本发明授权一种薄膜铌酸锂和透光基板波导体系的异质集成方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种薄膜铌酸锂和透光基板波导体系的异质集成方法，其特征在于，包括步骤： S101，在透光基板100的第一表面101上沉积第一掩护层200-1，所述第一掩护层200-1用于在后续刻蚀过程中保护所述透光基板100； S102，在所述第一掩护层200-1的第二表面201上沉积第一波导层300； S103，在所述第一波导层300周围沉积第一覆盖层800-1，所述第一覆盖层800-1的上表面与所述第一波导层300的上表面平齐； S104，在所述第一波导层300的上表面和所述第一覆盖层800-1的上表面沉积第二掩护层200-2； S105，在所述第二掩护层200-2上沉积第二波导层300B；其中，所述第二波导层300B为薄膜铌酸锂层； 步骤S101具体包括： S1011，采用第一沉积工艺在所述第一表面101沉积厚度为H1且具有第一形貌的二氧化硅作为第一防护层202；所述第一沉积工艺包括HDP-CVD，或SACVD，或FCVD； S1012，采用第二沉积工艺在所述第一防护层202的上表面沉积厚度为H2且具有第二形貌的二氧化硅作为第二防护层203；所述第二沉积工艺包括PECVD； 其中，所述第二防护层203的厚度H2与所述第一防护层202的厚度H1之和大于或等于1um；且所述第一形貌的所述第一防护层202和所述第二形貌的所述第二防护层203互补形成平坦的所述第一掩护层200-1。

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