杭州科百特半导体分离膜有限公司贾建东获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉杭州科百特半导体分离膜有限公司申请的专利烧结金属滤膜及其制备方法、滤芯以及超临界二氧化碳的过滤方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121016523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543336.7，技术领域涉及：B01D71/02；该发明授权烧结金属滤膜及其制备方法、滤芯以及超临界二氧化碳的过滤方法是由贾建东;刘明明;李雪杨;潘能修设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本烧结金属滤膜及其制备方法、滤芯以及超临界二氧化碳的过滤方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种烧结金属滤膜及其制备方法、滤芯以及超临界二氧化碳的过滤方法，烧结金属滤膜呈中空管状，包括烧结为一体的粗层和细层，烧结金属滤膜的IPA初始起泡点为50‑400kPa；粗层包括粗多孔主体，粗多孔主体的烧结颈的平均宽度记为W，粗多孔主体的孔洞的平均面积等效直径D为0.8‑6μm，且WD不小于0.04；细层包括细多孔主体和分布于细多孔主体内的附着位点，细多孔主体烧结附着于附着位点，并在附着位点上形成附着颗粒，附着颗粒在附着位点上的平均附着度F不超过80%。该烧结金属滤膜在烧结过程中发生界面分层的概率很低。
本发明授权烧结金属滤膜及其制备方法、滤芯以及超临界二氧化碳的过滤方法在权利要求书中公布了：1.一种烧结金属滤膜，其特征在于，所述烧结金属滤膜呈中空管状，包括烧结为一体的粗层和细层，所述细层位于粗层的径向外侧，所述细层背离粗层的表面为外表面，所述粗层背离细层的表面为内表面，所述烧结金属滤膜的IPA初始起泡点为50-400kPa； 所述粗层包括粗多孔主体，所述粗多孔主体的烧结颈的平均宽度记为W，所述粗多孔主体的孔洞的平均面积等效直径D为0.8-6μm，且WD不小于0.04； 所述细层包括细多孔主体和分布于细多孔主体内的附着位点，所述细多孔主体烧结附着于所述附着位点，并在附着位点上形成附着颗粒，所述附着颗粒在附着位点上的平均附着度F不超过80%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州科百特半导体分离膜有限公司，其通讯地址为：311265 浙江省杭州市萧山区河上镇科百路88号101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励