光科芯图(北京)科技有限公司杨振获国家专利权
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龙图腾网获悉光科芯图(北京)科技有限公司申请的专利曝光结构及曝光设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120821155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410442323.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权曝光结构及曝光设备是由杨振;谢稳;张丽丽设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本曝光结构及曝光设备在说明书摘要公布了：本发明涉及全息光刻技术领域，具体涉及曝光结构及曝光设备。通过在曝光结构中限定曝光光束经过透明掩模基底在浸没液中完全成像时，成像的理论距离大于所述透明掩模基底的厚度且小于浸没液滴的最大厚度与所述透明掩模基底的厚度之和，保证曝光光束经过浸没液滴后能够完全成像浸没液滴内部，进而保证曝光光束经过浸没液滴后能够完全成像在晶圆基底上，能够大大提升光刻质量。同时通过计算来设定更小的成像距离，使用利用表面张力来形成浸没液滴，而无需将透明掩模基底或晶圆基底完全浸泡在浸没液中，实现了更小的成像结构尺寸以及更少的浸没液用量，便于光刻完成后对晶圆基底和透明掩模基底的清理。
本发明授权曝光结构及曝光设备在权利要求书中公布了：1.一种曝光结构，其特征在于，包括： 晶圆基底，其一面上设置有光刻胶层； 透明掩模基底5，其上设置有全息图案，所述全息图案设于所述透明掩模基底5背离所述晶圆基底的一面，所述晶圆基底设有所述光刻胶层的一面朝向所述透明掩模基底5设置； 所述透明掩模基底5与所述晶圆基底之间适于设置浸没液滴6，所述浸没液滴6适于通过表面张力吸附于所述透明掩模基底5和所述晶圆基底之间，所述透明掩模基底5和所述晶圆基底均与所述浸没液滴6接触； 曝光光束经过所述透明掩模基底5在浸没液中完全成像时，成像的理论距离大于所述透明掩模基底5的厚度且小于所述浸没液滴6的最大厚度与所述透明掩模基底5的厚度之和。
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