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龙图腾网获悉西安航空学院申请的专利一种开关电源的MOS管控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120811085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511040935.7，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种开关电源的MOS管控制电路是由陈杰;雷新颖设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种开关电源的MOS管控制电路在说明书摘要公布了：本发明涉及整流电路技术领域，具体涉及一种开关电源的MOS管控制电路，该电路包括MOS管，所述MOS管的漏极D与变压器T的次级线圈连接，源极S通过电感L2分别与电容C2的一端及输出连接；所述变压器T的初级线圈所在回路的通断通过开关控制，所述开关导通时，电压控制电路将MOS管的栅极G的电压拉高至高于漏极D的电压，MOS管导通；所述开关截止时，电压控制电路将MOS管的栅极G的电压拉低至低于源极S的电压，MOS管截止，本发明通过将MOS管与电压控制电路巧妙地连接，保证电压控制电路结构简单的同时，能达到精准控制MOS管导通和截止的目的，将本发明提出的MOS管控制电路用于电路整流，具备整流二极管功能的同时，可以大幅降低电源功率耗散。

本发明授权一种开关电源的MOS管控制电路在权利要求书中公布了：1.一种开关电源的MOS管控制电路，其特征在于，包括MOS管，所述MOS管的漏极D与变压器T的次级线圈连接，源极S通过电感L2分别与电容C2的一端及输出连接，栅极G与电压控制电路连接，所述电容C2的另一端接地；所述电压控制电路包括导通控制电路和截止控制电路，所述变压器T的初级线圈所在回路的通断通过开关控制，所述开关导通时，导通控制电路将MOS管的栅极G的电压拉高至高于漏极D的电压，MOS管导通；所述开关截止时，截止控制电路将MOS管的栅极G的电压拉低至低于源极S的电压，MOS管截止； 所述导通控制电路包括电容C1，所述电容C1的一端分别与MOS管的栅极G和漏极D连接，所述电容C1的另一端与电感L2远离MOS管的一端连接； 所述电容C1通过电感L1与MOS管的漏极D连接； 所述电感L1与MOS管的漏极D之间还设置有二极管D2，所述二极管D2的阳极与MOS管的漏极D连接，阴极与电感L1远离电容C1的一端连接； 所述截止控制电路包括三极管U，所述三极管U的基极与电感L2远离MOS管的一端连接，所述三极管U的发射极与MOS管的漏极D连接，所述三极管U的集电极与MOS管的栅极G连接。

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