哈尔滨工业大学杨春晖获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利化合物硫锑镧钡和硫锑镧钡中远红外双折射光学晶体及制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120556143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510734433.8，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权化合物硫锑镧钡和硫锑镧钡中远红外双折射光学晶体及制备方法和应用是由杨春晖;颜景东;孔祥然;刘涛;冷宏伟;雷作涛;尚云飞设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本化合物硫锑镧钡和硫锑镧钡中远红外双折射光学晶体及制备方法和应用在说明书摘要公布了：化合物硫锑镧钡和硫锑镧钡中远红外双折射光学晶体及制备方法和应用，它涉及中远红外双折射晶体及制法和应用，它是要解决现有的中远红外晶体的双折射率低的问题，本发明的硫锑镧钡的化学式为Ba2La2Sb4S10S2，分子量为1424.22，结晶于单斜晶系，空间群为P21c，晶胞参数为a=8.63735，b=14.73369，c=15.91619，α=γ=90°，β=92.6612°。用高温溶液或固相法制备化合物或多晶料；用多晶料生长单晶体，其双折射率在1064nm处为0.53，在1~14μm范围内均具有较大的双折射率，用于光隔离器、环形器、光束位移器、光学起偏器或光学调制器中。
本发明授权化合物硫锑镧钡和硫锑镧钡中远红外双折射光学晶体及制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种化合物硫锑镧钡，其特征在于，该化合物的化学式为Ba2La2Sb4S10S2，分子量为1424.22，结晶于单斜晶系，空间群为P21c，晶胞参数为a=8.63735，b=14.73369，c=15.91619，α=γ=90°，β=92.6612°，单胞体积为2023.32Å3。
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