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龙图腾网获悉北京中科新微特科技开发股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511023516.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及其制备方法是由李寿全;刘志国;张彦飞;刘梦新;温霄霞;龚雪芹设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、外延层、阱区、源区、源极、控制极以及第一绝缘层；外延层设置于衬底沿厚度方向的一侧；阱区位于外延层内，阱区与外延层的导电类型相反；源区位于阱区内，源区与外延层的导电类型相同；源极位于外延层背向衬底的一侧，源极与源区导电连接；控制极位于外延层背向衬底的一侧，控制极包括沿第一方向间隔设置的两个栅极以及位于两个栅极之间的调节结构，调节结构与栅极绝缘间隔，调节结构与源极导电连接；第一绝缘层夹设于控制极与外延层之间；其中，外延层包括位于沿第一方向相邻的两个阱区之间的扩散区，调节结构在衬底上的正投影落入扩散区在衬底上的正投影范围内。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置于所述衬底沿厚度方向的一侧； 阱区，位于所述外延层内，所述阱区由所述外延层背向所述衬底的表面向所述衬底的方向延伸形成，所述阱区与所述外延层的导电类型相反； 源区，位于所述阱区内，所述源区由所述阱区背向所述衬底的表面向所述衬底的方向延伸形成，所述源区与所述外延层的导电类型相同； 源极，位于所述外延层背向所述衬底的一侧，所述源极与所述源区导电连接； 控制极，位于所述外延层背向所述衬底的一侧，所述控制极包括沿第一方向间隔设置的两个栅极以及位于两个所述栅极之间的调节结构，所述调节结构与所述栅极绝缘间隔，所述调节结构与所述源极导电连接，所述调节结构与所述栅极的导电类型与所述外延层的导电类型相反； 第一绝缘层，夹设于所述控制极与所述外延层之间； 其中，所述外延层包括位于沿第一方向相邻的两个阱区之间的扩散区，所述调节结构在所述衬底上的正投影落入所述扩散区在所述衬底上的正投影范围内，所述扩散区背向所述衬底的表面向所述衬底延伸形成有至少一个凹部，所述凹部在所述衬底上的正投影与所述调节结构在所述衬底上的正投影至多部分重叠，所述第一绝缘层包括位于所述凹部的厚氧结构以及位于其他区域的薄氧结构。

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