研迈电子材料(上海)有限公司王鹏鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉研迈电子材料(上海)有限公司申请的专利一种AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120286933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510788153.5，技术领域涉及：B23K35/30；该发明授权一种AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料及其制备方法是由王鹏鹏;沈敏华设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明适用于电子封装材料技术领域，提供了一种AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料及其制备方法，所述浆料包括：纳米银合金粉40%‑70%、低温分解溶剂25%‑55%、分散剂2%‑5%和触变剂剂0.5%‑2%。发明使用微反应器连续反应制备技术合成，在纳米活性粉体包面均匀包覆纳米银颗粒，形成纳米银合金粉。使用分散剂为小分子有机分散剂，确保在200℃焊接温度下可以完全分解。合成得到的纳米银分散体为稳定物质体系，可直接作为焊膏或浆料使用。将传统中高温活性硬钎焊温度降低到200℃以内，且纳米银活性浆料通过烧结或焊接后形成的焊接界面为银合金结构，可承受＞900℃的温度循环，具有高可靠性，对行业应用是重大突破与创新。
本发明授权一种AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料，其特征在于，所述AMB陶瓷基板用低温银基活性浆料包括： 纳米银合金粉40%-70%，所述纳米银合金粉由活性核与银包覆层构成核壳结构，活性核选自Ti、Zr、TiH2、ZrH2中的至少一种，银层厚度5-20nm，活性核与银层的质量比为1:3-1:8； 低温分解溶剂25%-55%，所述低温分解溶剂为C10-C12直链烷烃，200℃下残留量≤0.5wt%； 分散剂2%-5%，包含PVP-K30与十二烷基硫酸钠的复配体系，复配比例3:1-5:1； 触变剂0.5%-2%，所述触变剂为氢化蓖麻油与纳米二氧化硅的混合物，质量比2:1-5:1。
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