日立能源有限公司Y·C·阿朗戈获国家专利权
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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利用于制造半导体本体的方法、半导体本体和功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280100098.0，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权用于制造半导体本体的方法、半导体本体和功率半导体器件是由Y·C·阿朗戈;G·阿尔菲里设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体本体的方法、半导体本体和功率半导体器件在说明书摘要公布了：根据一个实施例，用于制造半导体本体10的方法包括提供SiC的第一半导体层1的步骤、将碳引入第一半导体层以使第一半导体层的至少一部分成为至少一个富C区域11的另一步骤、以及在包括至少一个富C区域的第一半导体层上生长SiC的第二半导体层2的步骤。
本发明授权用于制造半导体本体的方法、半导体本体和功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体本体10的方法，包括： 提供由SiC制成的n型掺杂衬底4， 直接在所述衬底4上外延生长SiC的第一半导体层1，所述第一半导体层1为n型掺杂，并且所述第一半导体层中的平均和或最大掺杂浓度小于所述衬底4中的平均和或最小掺杂浓度； 使用等离子体离子浸没注入PIII将碳引入所述第一半导体层1中，使得所述第一半导体层1的至少一部分成为至少一个富C区域11，其中，间隙位点处的C原子或C离子的最小和或平均浓度分别比引入碳的步骤执行之前的所述第一半导体层1中的最大和或平均浓度大至少100倍，并且在所述富C区域11中，间隙位点处的C原子或C离子的平均浓度为至少1017cm-3，并且所述富C区域11的厚度为至多100nm； 在包括所述至少一个富C区域11的所述第一半导体层1上外延生长SiC的第二半导体层2，所述第二半导体层2为n型掺杂， 形成所述第二半导体层2的至少一个缓冲区域20，所述缓冲区域20与所述富C区域11邻接并且为n型掺杂，所述缓冲区域20的平均和或最大掺杂浓度大于所述第一半导体层1中的平均和或最大掺杂浓度，所述至少一个缓冲区域20是在所述第二半导体层2的整个横向延伸上连续无中断地延伸的缓冲层，以及 执行进一步的在所述第二半导体层2中形成p型掺杂的p阱的注入工艺。
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