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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利MIM电容器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411811884.9，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权MIM电容器件及其制备方法是由何丽美;汪维金;邱楚濠;孟雅楠;李享设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本MIM电容器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种MIM电容器件及其制备方法，该方法包括：在已形成有前段半导体器件的衬底上形成互连层，互连层包括：位于器件区的金属互连层，其与前段半导体器件通过衬底的接触孔连接，包括多层互连金属层以及连接相邻互连金属层的互连通孔；以及和位于边缘区的第一MIM电容下极板，包括多层下极板金属层以及连接相邻下极板金属层的下极板通孔；在互连层的边缘区形成预设深度的防水层沟槽，且第一MIM电容下极板位于防水层沟槽的至少一侧壁的外侧；在互连层的表面沉积防水层；在防水层沟槽的表面形成第一MIM上极板金属层。本发明利用防水层作为电容介电层，在不增加光罩的情况下在防水层沟槽处制备出了额外的MIM电容器。

本发明授权MIM电容器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM电容器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上已形成有前段半导体器件和第一层间介质层，且所述第一层间介质层中形成有接触孔；其中，所述衬底包括器件区与边缘区，所述前段半导体器件形成于所述器件区； 在所述第一层间介质层上形成互连层；所述互连层包括位于器件区的金属互连层和位于边缘区的第一MIM电容下极板；所述金属互连层与所述接触孔电性连接，所述金属互连层包括多层互连金属层以及电性连接相邻所述互连金属层的互连通孔；所述第一MIM电容下极板包括多层下极板金属层以及电性连接相邻所述下极板金属层的下极板通孔； 在所述互连层的边缘区形成预设深度的防水层沟槽；所述第一MIM电容下极板位于所述防水层沟槽的至少一侧壁的外侧； 在所述互连层的表面沉积防水层，所述防水层覆盖所述互连层的表面，以及所述防水层沟槽的底部与侧壁； 形成位于所述防水层沟槽的底部与侧壁的第一MIM上极板金属层，所述第一MIM电容下极板、所述防水层、所述第一MIM上极板金属层构成第一MIM电容器。

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