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龙图腾网获悉长沙理工大学申请的专利一种基于银硫聚合的纳米孔道传感器检测高半胱氨酸的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643651B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510091832.7，技术领域涉及：G01N27/06；该发明授权一种基于银硫聚合的纳米孔道传感器检测高半胱氨酸的方法是由马天骥;许愿;郭佩弦;曹忠设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于银硫聚合的纳米孔道传感器检测高半胱氨酸的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于银硫聚合的纳米孔道传感器检测高半胱氨酸的方法，通过将含高半胱氨酸的溶液经过4‑二甲基氨基肉桂醛前处理后，将具有圆柱形纳米孔道结构的传感器置于含高半胱氨酸的溶液中进行聚合反应，建立聚合反应前后的电导率之比与高半胱氨酸浓度的线性方程，再通过线性方程计算待测液中高半胱氨酸的浓度；待测液中包含高半胱氨酸和半胱氨酸，且在检测前经过4‑二甲基氨基肉桂醛前处理；传感器的圆柱形纳米孔道中修饰有AgⅠ探针。该方法利用特殊的前处理方法协同构建的功能探针和特殊的纳米孔道结构且基于银硫聚合反应放大了电流信号变化，实现了对Hcy的快速准确的检测。

本发明授权一种基于银硫聚合的纳米孔道传感器检测高半胱氨酸的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于银硫聚合的纳米孔道传感器检测高半胱氨酸的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1将含高半胱氨酸的溶液经过4-二甲基氨基肉桂醛前处理后，将具有圆柱形纳米孔道结构的传感器置于含高半胱氨酸的溶液中进行聚合反应，建立聚合反应前后的电导率之比与高半胱氨酸浓度的线性方程；所述传感器的圆柱形纳米孔道中修饰有AgⅠ探针； 2将含高半胱氨酸的溶液替换为待测液，测定聚合反应前后的电导率的比值结果，再将比值结果代入线性方程计算待测液中高半胱氨酸的浓度；所述待测液中包含高半胱氨酸和半胱氨酸； 所述具有圆柱形纳米孔道结构的传感器是先在孔道内修饰半胱氨酸基团，再通过Ag-S键修饰AgⅠ探针； 所述具有圆柱形纳米孔道结构的传感器的制备包括以下步骤： 1使用重离子轰击PET薄膜并在其内部形成离子径迹后，使用紫外灯照射进行活化处理，再用氢氧化钠对PET薄膜的径迹进行对称刻蚀，形成具有贯穿孔的圆柱形纳米孔道的PET薄膜； 2所述具有贯穿的圆柱形纳米孔道的PET薄膜浸渍于含EDC、NHS和MES的活化溶液中，再加入半胱氨酸进行接枝修饰，得到CysPET纳米孔道传感器； 3所述CysPET纳米孔道传感器浸渍于含AgNO3的缓冲液中通过AgⅠ-S键修饰AgⅠ探针，得到AgⅠCysPET纳米孔道传感器。

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