武汉华星光电技术有限公司张鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利薄膜晶体管及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411622161.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及显示面板是由张鹏设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及显示面板在说明书摘要公布了：本申请涉及一种薄膜晶体管及显示面板，薄膜晶体管包括衬底、遮光层、缓冲层、有源层、栅极以及源极和漏极；其中，遮光层包括多个间隔设置的第一遮光部，位于遮光层上方的缓冲层具有第一凹凸结构，沟道部设置在第一凹凸结构上方具有第二凹凸结构。本申请的薄膜晶体管的遮光层由多个间隔设置的第一遮光部构成，使得形成在遮光层上方的缓冲层具有第一凹凸结构，而沟道部形成在第一凹凸结构上方，使得沟道部具有第二凹凸结构，由于沟道部为凹凸形状，充分利用了薄膜晶体管在竖直方向上的空间，缩小沟道部在水平方向上占用的空间，进而整体上减小了薄膜晶体管的尺寸，有利于高分辨率显示面板的制备。
本发明授权薄膜晶体管及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 遮光层，设置在所述衬底的一侧，包括多个间隔设置的第一遮光部； 缓冲层，设置在所述遮光层远离所述衬底的一侧； 有源层，设置在所述缓冲层远离所述遮光层的一侧，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部端部的导体部；所述沟道部包括多个侧壁，多个所述侧壁包括位于所述沟道部边缘的第一侧壁以及位于所述沟道部中间区域的第二侧壁，所述第二侧壁的倾斜角度大于或等于所述第一侧壁的倾斜角度； 栅极，设置在所述有源层远离所述缓冲层的一侧；以及 源极和漏极，设置在所述栅极远离所述有源层的一侧，且与所述导体部连接； 其中，位于所述遮光层上方的所述缓冲层具有第一凹凸结构，所述沟道部设置在所述第一凹凸结构上方，具有第二凹凸结构。
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