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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311044355.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法是由周圣军;杜鹏;钱胤佐;周千禧设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法，所述制造方法包括，在衬底上制备外延生长层，所述外延生长层包括AlN成核层、AlN缓冲层、Si掺杂n‑AlGaN层、低铝AlGaN高铝AlGaN多量子阱层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层，Mg掺杂p‑AlGaN空穴注入层，厚度均为5～15nm的Mg重掺杂p+‑AlGaN层和Si重掺杂n+‑AlGaN层构成的隧道结，得到外延材料；从Si重掺杂n+‑AlGaN层进行部分刻蚀直至暴露出Si掺杂n‑AlGaN层；在暴露出的Si掺杂n‑AlGaN层和Si重掺杂n+‑AlGaN层上分别制备n电极和p电极得到超薄隧道结深紫外LED芯片。本发明采用超薄n+‑AlGaNp+‑AlGaN隧道结，去除轻掺杂n‑‑AlGaN覆盖层，既有利于Mg受主的脱氢激活，又降低深紫外LED芯片工作电压，提高了深紫外LED芯片的光电性能。

本发明授权一种超薄隧道结深紫外LED芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄隧道结深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，包括， 在衬底上制备外延生长层，所述外延生长层包括AlN成核层、AlN缓冲层、Si掺杂n-AlGaN层、低铝AlGaN高铝AlGaN多量子阱层、Mg掺杂p-AlGaN电子阻挡层，Mg掺杂p-AlGaN空穴注入层，厚度均为5~15nm的Mg重掺杂p+-AlGaN层和Si重掺杂n+-AlGaN层构成的隧道结，得到外延材料； 从Si重掺杂n+-AlGaN层进行部分刻蚀直至暴露出Si掺杂n-AlGaN层； 在暴露出的Si掺杂n-AlGaN层和Si重掺杂n+-AlGaN层上分别制备n电极和p电极得到超薄隧道结深紫外LED芯片，所述p电极为NiAu； 所述Mg重掺杂p+-AlGaN层的Mg掺杂浓度为1×1019~2×1020cm-3； 所述Si重掺杂n+-AlGaN层的Si掺杂浓度为1×1020~1×1021cm-3； 所述隧道结中Mg从Mg重掺杂p+-AlGaN层扩散至Si重掺杂n+-AlGaN层形成Si-Mg共掺状态，有利于Mg受主的脱氢激活，降低深紫外LED芯片的工作电压。

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