南亚科技股份有限公司彭荣赐获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件的主动区域的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410485135.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体元件的主动区域的制备方法是由彭荣赐设计研发完成，并于2023-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的主动区域的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件的制备方法。该方法包括：提供一基板；形成多个第一掩膜层于该基板之上，其中每一个该些第一掩膜层沿着一第一方向延伸；形成多个第二掩膜层于该基板之上，其中每一个该些第二掩膜层沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸；形成多个岛于该些第二掩膜层之上；形成一开口图案定义层于该些岛上以定义多个第二开口；移除该些岛以形成多个第三开口；通过移除沿着该第三方向与该些第二开口和该些第三开口重叠的该些第二掩膜层来形成一剪切图案，其中该第三方向正交于该第一方向与该第二方向；借由该剪切图案来图案化该些第一掩膜层；以及图案化该基板以定义一主动区域。该开口图案定义层以原子层沉积制程形成。
本发明授权半导体元件的主动区域的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 提供一基板； 形成多个第一掩膜层于该基板之上，其中每一个该多个第一掩膜层沿着一第一方向延伸； 形成多个第二掩膜层于该多个第一掩膜层之上，其中每一个该多个第二掩膜层沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸； 形成多个岛于该多个第二掩膜层之上； 形成一开口图案定义层于该多个岛之间的间隙以定义多个第一开口； 移除该多个岛以形成多个第二开口； 通过移除沿着一第三方向与该多个第一开口和该多个第二开口重叠的该多个第二掩膜层来形成一剪切图案，其中该第三方向正交于该第一方向与该第二方向； 借由该剪切图案来图案化该多个第一掩膜层； 移除该第一掩膜层以形成多个第三开口；以及 由该多个第三开口以图案化该基板以定义一主动区域， 其中该开口图案定义层以原子层沉积制程形成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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