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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种三维动态存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411587461.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维动态存储器及其制备方法是由童浩;汪宾浩;缪向水设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维动态存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种三维动态存储器及其制备方法，涉及动态存储器技术领域，该存储器结构包括：衬底层、生长在所述衬底层上的外围电极层和存储阵列；在外围电极层上开设有垂直的若干个环形凹槽，且在每个环形凹槽的区域内开设有两个垂直的孔洞，每个环形凹槽和其中的两个孔洞均延伸到所述外围电极层最底层的第一电介质层；在环形凹槽中填充电容介质层，在两个孔洞中分别生成选通层和位线金属电极层，构成读选通器件和写选通器件，进而构成存储单元。本申请用两个单向选通器件取代单个双向导通器件，当需要进行数据擦除操作时，只需要同时在写选通层与读选通层上施加特定电压，即可完成垂直方向上一串存储单元的擦除操作，简化了存储器的擦除操作。

本发明授权一种三维动态存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维动态存储器，其特征在于，包括：衬底层、生长在所述衬底层上的外围电极层和存储阵列；所述外围电极层包括在所述衬底层上交替生长的第一电介质层和第一金属电极层，所述外围电极层的最顶层和最底层均为第一电介质层；所述外围电极层上开设有垂直的若干个环形凹槽，所述环形凹槽的底部至少延伸到所述外围电极层最底层的第一电介质层；在每个所述环形凹槽的区域内开设有两个垂直的孔洞，所述孔洞的底部至少延伸到所述外围电极层最底层的第一电介质层； 所述存储阵列包括若干个存储单元，所述存储单元包括电容介质层、写选通器件和读选通器件；所述电容介质层填充在所述环形凹槽内；所述写选通器件包括写选通层、写位线金属电极层和与所述写选通层接触的第一金属电极层；所述读选通器件包括读选通层、读位线金属电极层和与所述读选通层接触的第一金属电极层；所述读选通层覆盖在一个孔洞的内壁表面，所述写选通层覆盖在另一个孔洞的内壁表面；所述读位线金属电极层填充在所述读选通层的中心区域，所述写位线金属电极层填充在所述写选通层的中心区域。

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