中国科学院微电子研究所朱慧珑获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411554154.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朱慧珑;陈献宇;张永奎;王琪;罗军;叶甜春设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。本申请的半导体器件通过在晶体管内部体接触区引出体线，以体线作为载流子通道，对不同的垂直晶体管感应出的载流子进行传输。从而在较宽的栅控电压范围内具有极低的关态电流，有效减少半导体结构的浮体效应，防止寄生的PN结正向导通，显著降低漏电流。此外，不仅部分体线位于晶体管内部体接触区，无需额外占用面积，而且位线、字线、体线在第一方向上均以交叠的形式设置在沟道区域内，并通过隔离材料阻断三者之间的连接，消除了传统的环栅晶体管的DRAM阵列结构中的位线、字线、体线之间的固有间隔，有利于半导体器件的尺寸微缩。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 晶体管，形成在所述衬底之上，相邻所述晶体管之间形成有沟道区域，所述晶体管包括环绕栅极层、源极层、漏极层和体接触层，所述环绕栅极层与所述源极层和所述漏极层接触，所述源极层和所述漏极层之间具有体接触空腔，所述体接触空腔的开口位于远离所述环绕栅极层的所述晶体管一侧，所述体接触层位于所述体接触空腔内； 位线，形成在所述沟道区域底部，且沿第二方向延伸，所述晶体管与所述位线耦接； 字线，形成在所述沟道区域的介电层上，所述字线沿第一方向延伸且与所述位线垂直，其中，所述介电层覆盖于所述衬底和所述位线； 体线，形成在所述体接触空腔和所述沟道区域中，所述体线与所述体接触层接触，且隔离于所述源极层、所述漏极层、所述字线的体线，其中，所述体线沿第二方向延伸且与所述位线平行。
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