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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119418734B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411588448.X，技术领域涉及：G11C7/10；该发明授权一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路是由童浩;汪宾浩;缪向水设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路，涉及存储器读写电路技术领域，该读写电路包括：均与基于OTS的多值动态存储单元连接的写控制模块和读控制模块；写控制模块在写控制信号的控制下，根据参考电压和多个输入信号生成不同值的写操作电压，并作用于存储单元电容的两端，实现了多值动态存储单元的写入操作；读控制模块在读控制信号的作用下，读出存储单元的四种存储状态，并以四位编码的形式输出。本申请可以通过调节各输入信号的数值，产生不同值的写操作电压，用作多值动态存储单元不同状态的写入电压，另外通过读控制模块可以分别读出存储单元的不同存储状态，并以四位编码的形式输出读出的数据。

本发明授权一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路在权利要求书中公布了：1.一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路，其特征在于，包括：写控制模块和读控制模块； 所述写控制模块和所述读控制模块均与多值动态存储单元连接；多值动态存储单元包括：OTS选通管和存储单元电容；所述写控制模块中接入写控制信号、参考电压和多个输入信号，所述写控制模块用于在写控制信号的控制下，根据参考电压和多个输入信号生成写操作电压，并作用于所述存储单元电容的两端；所述读控制模块中接入读控制信号，所述读控制模块用于在读控制信号的作用下，以四位编码形式输出所述多值动态存储单元的工作状态； 所述写控制模块包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一反相器、第二反相器、第三反相器和运算放大器； 所述运算放大器的输出端与所述多值动态存储单元连接；所述运算放大器的反相输入端分别与所述第二晶体管的第一端、所述第四晶体管的第一端和所述第六晶体管的第一端连接；所述运算放大器的同相输入端分别与所述第四电阻的第一端、所述第三晶体管的第一端、所述第五晶体管的第一端和所述第七晶体管的第一端连接； 所述第六晶体管的第二端和所述第七晶体管的第二端连接后，与所述第一电阻的第一端连接；所述第四晶体管的第二端和所述第五晶体管的第二端连接后，与所述第二电阻的第一端连接；所述第二晶体管的第二端和所述第三晶体管的第二端连接后，与所述第三电阻的第一端连接；所述第四电阻的第二端和所述第三电阻的第二端连接后，与所述第五电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端和所述第五电阻的第二端连接后，与所述第六电阻的第一端连接；所述第六电阻的第二端和所述第一电阻的第二端连接后，接入所述参考电压； 所述第二晶体管的控制端接第一输入信号，所述第三晶体管的控制端通过所述第一反相器接入第一输入信号；所述第四晶体管的控制端接第二输入信号，所述第五晶体管的控制端通过所述第二反相器接入第二输入信号；所述第六晶体管的控制端接第三输入信号，所述第七晶体管的控制端通过所述第三反相器接入第三输入信号； 所述运算放大器的反相输入端还通过所述第七电阻接入写控制信号，所述运算放大器的同相输入端还接地；所述第八电阻的两端分别与所述运算放大器的反相输入端和所述运算放大器的输出端连接； 所述写控制模块在工作时，用于根据所述参考电压、所述第一输入信号、所述第二输入信号和所述第三输入信号不同值，生成不同值的写操作电压，作用于所述存储单元电容的两端。

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