武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种400G DR4硅光芯片及光引擎和耦合方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119335660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411334392.5,技术领域涉及:G02B6/42;该发明授权一种400G DR4硅光芯片及光引擎和耦合方法是由方文银;严雄武;彭开盛设计研发完成,并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种400G DR4硅光芯片及光引擎和耦合方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种400GDR4硅光芯片,两个输入波导呈八字型分布,且束口端朝外,其中一个输入波导正向倾斜8°±1°,另一个输入波导负向倾斜8°±1°,每个输入波导分别与四个输出波导相耦合。一种400GDR4硅光光引擎,光发射组件、非球透镜、光隔离器、棱镜以及400GDR4硅光芯片沿光传播方向依次耦合,光发射组件的光轴中心位于400GDR4硅光芯片中两个输入波导的正中间,光发射组件水平方向的发射光由棱镜正向或反向转折8°±1°后耦合入正向或反向倾斜8°±1°的输入波导内。有益效果为:光发射组件中的激光器芯片可以不用倾斜8°±1°贴片,可以降低贴片难度,可以提升光功率和良率。
本发明授权一种400G DR4硅光芯片及光引擎和耦合方法在权利要求书中公布了:1.一种400GDR4硅光光引擎,其特征在于,包括:光发射组件2、非球透镜3、光隔离器4、棱镜5以及400GDR4硅光芯片1; 400GDR4硅光芯片1具有两个输入波导110以及四个输出波导120,两个输入波导110呈八字型分布,且束口端朝外,两个输入波导110中其中一个输入波导110正向倾斜8°±1°,另一个输入波导110负向倾斜8°±1°,每个输入波导110分别与四个输出波导120相耦合,两个输入波导110中任意一个输入波导110均可以将光传播向四个输出波导120,四个输出波导120均正向倾斜8°±1°; 所述光发射组件2、非球透镜3、光隔离器4、棱镜5以及400GDR4硅光芯片1沿光传播方向依次耦合,所述光发射组件2水平布置且其光轴中心位于400GDR4硅光芯片1中两个输入波导110的正中间;所述光发射组件2水平方向的发射光由棱镜5正向转折8°±1°后耦合入400GDR4硅光芯片1中正向倾斜8°±1°的输入波导110内;或,所述光发射组件2水平方向的发射光由棱镜5反向转折8°±1°后耦合入400GDR4硅光芯片1中反向倾斜8°±1°的输入波导110内; 耦合方法如下: S1、沿光传播方向依次水平固定光发射组件2、光隔离器4以及400GDR4硅光芯片,并让光发射组件2的光轴中心位于400GDR4硅光芯片1中两个输入波导110的正中间; S2、以不固定方式将棱镜5耦合在光隔离器4与400GDR4硅光芯片1之间; S3、在光发射组件2与光隔离器4之间耦合非球透镜3,并记录耦合光功率P1; S4、将棱镜5翻转180°,以不固定方式将棱镜5耦合在光隔离器4与400GDR4硅光芯片1之间; S5、在光发射组件2与光隔离器4之间耦合非球透镜3,并记录耦合光功率P2; S6、比较耦合光功率P1和耦合光功率P2的大小,并选择耦合光功率大的方案,再依据该方案中棱镜5分布方式固定棱镜5; S7、固定非球透镜3。
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