通威太阳能(成都)有限公司张平会获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410392275.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件是由张平会设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池领域，公开一种钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件，该钝化接触结构包括介质层、掺杂有N型导电元素的掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层设于所述介质层上，所述掺杂多晶硅层包括所述N型导电元素的氧化物，所述N型导电元素在所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度为1×1020cm‑3～3×1022cm‑3，从所述掺杂多晶硅层背离所述介质层的一面至所述掺杂多晶硅层靠近所述介质层的一面的方向上，所述N型导电元素在所述掺杂多晶硅层的分布数量呈现下降分布。本申请提供的钝化接触结构用于太阳电池中，能同时解决掺杂多晶硅层的寄生吸收和爆膜的问题，提高太阳电池的光电转化效率。
本发明授权钝化接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供硅基底，所述硅基底的表面由内向外依次设有介质层、掺杂有N型导电元素的掺杂非晶硅层； 先向所述掺杂非晶硅层中通入含氧气体，然后沉积含氧层； 退火，使所述掺杂非晶硅层转变为掺杂多晶硅层，且使所述含氧气体、所述含氧层中的氧元素与所述N型导电元素结合形成氧化物以抑制所述掺杂多晶硅层中的所述N型导电元素向所述介质层一侧扩散； 其中，所述N型导电元素在所述掺杂多晶硅层的掺杂浓度为1×1020cm-3~3×1022cm-3，从所述掺杂多晶硅层背离所述介质层的一面至所述掺杂多晶硅层靠近所述介质层的一面的方向上，所述N型导电元素在所述掺杂多晶硅层的分布数量呈现下降分布。
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