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龙图腾网获悉IMEC非营利协会;勒芬天主教大学申请的专利分子合成阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380041856.0，技术领域涉及：B01J19/00；该发明授权分子合成阵列是由塞萨尔·哈维尔·洛克哈特德拉罗莎;奥利维尔·亨利;克里姆·威廉姆斯;凯瑟琳·霍尔兹设计研发完成，并于2023-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本分子合成阵列在说明书摘要公布了：根据本发明构思的一方面，提供了一种分子合成阵列100,100'，该分子合成阵列包括：衬底208,208'；绝缘层202,202'，该绝缘层布置在衬底208,208'上；多个下部电极线104和多个上部电极线102，该多个下部电极线沿着分子合成阵列100,100'的列方向平行地延伸，该多个上部电极线沿着分子合成阵列100,100'的行方向平行地延伸，其中，上部电极线102与下部电极线210,210'竖直分离并跨过下部电极线104延伸，并且其中，下部电极线和上部电极线210,210'，204,204'嵌入在绝缘层202,202'中；以及多个合成孔106，其中，每个孔200,200'形成在下部电极线210,210'与上部电极线204,204'之间的交叉处，并且从绝缘层202,202'的上表面226、穿过绝缘层202,202'并穿过上部电极线204,204'延伸到下部电极线210,210'，并且露出上部电极线204,204'的电极表面部分222,222'和下部电极线210,210'的电极表面部分216,216'。

本发明授权分子合成阵列在权利要求书中公布了：1.一种分子合成阵列100,100'，包括： 衬底208,208'； 绝缘层202,202'，该绝缘层布置在该衬底208,208'上； 多个下部电极线104和多个上部电极线102，该多个下部电极线沿着该分子合成阵列100,100'的列方向平行地延伸，该多个上部电极线沿着该分子合成阵列100,100'的行方向平行地延伸，其中，所述上部电极线102与所述下部电极线104竖直分离并跨过所述下部电极线104延伸，并且其中，所述下部电极线104和上部电极线102嵌入在该绝缘层202,202'中；以及 多个合成孔106,200,200'，其中，每个合成孔106,200,200'形成在下部电极线210,210'与上部电极线204,204'之间的交叉处，并且从该绝缘层202,202'的上表面226、穿过该绝缘层202,202'并穿过该上部电极线204,204'延伸到该下部电极线210,210'，并且露出该上部电极线204,204'的电极表面部分222,222'和该下部电极线210,210'的电极表面部分216,216'。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人IMEC非营利协会;勒芬天主教大学，其通讯地址为：比利时勒芬；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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