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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利MIM电容器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069463B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310651603.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权MIM电容器件及其制造方法是由王新鹏;范桂林;蒋文丽;崔强伟;王亚飞设计研发完成，并于2023-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本MIM电容器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MIM电容器件及其制造方法，其在刻蚀第二金属层间介质层形成第一开口和第二开口之前，先在第二金属层间介质层上沉积缓冲介质层并对其顶面平坦化，由此，一方面能够提供更安全的工艺窗口，另一方面能保证在第一开口和第二开口中填充金属且进行顶面平坦化后，可以留有稳定的上极板金属线厚度，进而解决因工艺极限所产生的金属残留导致下极板金属线与其周围金属线桥接的问题，也能解决因上极板金属线厚度例如厚度过薄不可控而导致上极板金属线的电阻无法精确控制的问题，最终提高器件可靠性。此外，上极板通过上极板金属线引出，省略了相应的通孔，工艺更简单，接触电阻更低。

本发明授权MIM电容器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM电容器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上依次沉积下极板层、电容介质层和上极板层； 以下极板层为刻蚀停止层，刻蚀所述上极板层和电容介质层，形成上极板； 刻蚀所述上极板外围的下极板层，形成下极板，所述下极板、所述上极板及两者之间所夹的电容介质层共同构成MIM电容结构； 依次随形沉积第二金属阻挡层、第二金属层间介质层和缓冲介质层于所述MIM电容结构及其外围的衬底上，其中，所述缓冲介质层的选材不同于所述第二金属层间介质层，所述第二金属层间介质层的沉积厚度至少能够满足后续待形成的通孔高度和相应的沟槽深度的总和所需，所述缓冲介质层的沉积厚度至少能够补充所述第二金属层间介质层相应区域的顶面高度差； 对所述缓冲介质层进行顶面平坦化； 分别形成第一开口和第二开口，所述第一开口贯穿所述缓冲介质层和所述第二金属层间介质层至暴露出所述下极板的部分顶面，所述第二开口贯穿所述缓冲介质层和所述第二金属层间介质层至暴露出所述上极板的部分顶面； 沉积金属并进行顶面平坦化，以去除所述缓冲介质层并形成填充于所述第一开口中的下极板引出结构以及填充于所述第二开口中的上极板引出结构。

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