买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411079662.2，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件是由张苇杭;胡雨清;袁梦强;樊昱彤;冯欣;吴银河;刘志宏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，包括：衬底和缓冲层，缓冲层包括隔离槽，缓冲层被隔离槽划分为第一区域和第二区域；在第一区域，缓冲层上设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，有源层中设置有漂移区、引出区和源区，漂移区中设置有漏区，引出区和源区的上表面设置有第一源极，漏区的上表面设置有第一漏极，二者之间设置第一栅极；在第二区域，缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，二者之间设置有第二栅极；第一漏极与第二源极通过第一金属互联线电连接，第一源极与第二栅极通过第二金属互联线电连接。本发明能够改善器件性能。

本发明授权一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件在权利要求书中公布了：1.一种增强型SiC衬底GaN电力电子器件，其特征在于，包括： 衬底和位于所述衬底上的缓冲层，所述缓冲层包括隔离槽，沿垂直于所述衬底的方向，所述缓冲层被所述隔离槽划分为第一区域和第二区域；其中，所述衬底的材料为SiC，所述缓冲层的材料为AlN； 在所述第一区域，所述缓冲层上依次设置有第一沟道层、第一势垒层、第一钝化层、第一隔离层和有源层，所述有源层中上表面设置有漂移区、引出区和源区，所述引出区与所述源区相接排布，所述漂移区与所述源区间隔排布，所述漂移区中上表面设置有漏区，位于所述引出区和所述源区的上表面设置有第一源极，位于所述漏区的上表面设置有第一漏极，在所述第一源极与所述第一漏极之间设置栅介质层，在所述栅介质层上设置第一栅极； 在所述第二区域，所述缓冲层上依次设置有第二沟道层、第二势垒层、第二钝化层和第二隔离层，所述第二隔离层上设置有第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极延伸至所述第二势垒层的上表面，所述第二源极与所述第二漏极之间设置有第二栅极，所述第二栅极延伸至所述第二钝化层的上表面； 其中，所述第一漏极与所述第二源极通过第一金属互联线电连接，所述第一源极与所述第二栅极通过第二金属互联线电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。