福建省晋华集成电路有限公司涂言铭获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969841B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411009855.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制备方法是由涂言铭;何新悦;黄惠香;颜逸飞;林昭维;陈辉煌设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：衬底；设于所述衬底上的栅极结构；设于所述栅极结构两侧的源漏结构，所述源漏结构凸出于所述衬底的表面；第一侧墙，覆盖所述栅极结构部分侧壁，所述第一侧墙与所述源漏结构之间设有间隙；第一介电层部分填充所述间隙，并覆盖所述源漏结构、第一侧墙以及所述栅极结构，所述第一介电层具有朝向所述间隙延伸的第一凹陷；第二介电层覆盖所述第一介电层，包括填充所述第一凹陷的突出部。本发明中通过优化寄生效应及RC延迟以提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括 衬底； 设于所述衬底上的栅极结构； 设于所述栅极结构两侧的源漏结构，所述源漏结构凸出于所述衬底的表面； 第一侧墙，覆盖所述栅极结构部分侧壁，且所述第一侧墙的顶部低于所述栅极结构的顶部，所述第一侧墙与所述源漏结构之间设有间隙； 第一介电层部分填充所述间隙，并覆盖所述源漏结构、第一侧墙以及所述栅极结构的顶面，所述第一介电层具有朝向所述间隙延伸的第一凹陷，所述第一介电层的介电常数小于所述第一侧墙的介电常数； 第二介电层覆盖所述第一介电层，包括填充所述第一凹陷的突出部。
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