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龙图腾网获悉上海显耀显示科技有限公司申请的专利微型发光二极管芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410650772.3，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权微型发光二极管芯片及其形成方法是由袁祥龙;魏天使;白鸽设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型发光二极管芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：一种微型发光二极管芯片及其形成方法，其中微型发光二极管芯片包括：第一外延层，第一外延层内具有第一掺杂离子，第一外延层具有相对的第一侧和第二侧；位于第一侧的多量子阱层，多量子阱层与第一外延层接触；位于第一侧的第二外延层，第二外延层内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子和第一掺杂离子的电学类型不同，多量子阱层位于第一外延层和第二外延层之间；位于第一侧的多层依次包围排布的反射环，其中最内侧的所述反射环包围多量子阱层。通过在多量子阱层的外围增设多层反射环，能够对多量子阱层发出的光线进行多重的反射处理，能够有效减少因器件尺寸较小而产生的侧壁效应，进而能够有效提升微型发光二极管芯片的发光效率以及使用稳定性。

本发明授权微型发光二极管芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，包括： 第一外延层，所述第一外延层内具有第一掺杂离子，所述第一外延层具有相对的第一侧和第二侧； 位于所述第一侧的多量子阱层，所述多量子阱层与所述第一外延层接触； 位于所述第一侧的第二外延层，所述第二外延层内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子和所述第一掺杂离子的电学类型不同，所述多量子阱层位于所述第一外延层和所述第二外延层之间； 位于所述第一侧的多层依次包围排布的反射环，其中最内侧的所述反射环包围所述多量子阱层；其中， 多层所述反射环包括：第一反射环，所述第一反射环包围所述多量子阱层； 所述多量子阱层的侧壁为倾斜面，且所述多量子阱层远离所述第一外延层的表面朝向所述第一外延层的投影区域位于所述多量子阱层靠近所述第一外延层的表面朝向所述第一外延层的投影区域范围内； 所述第一反射环的侧壁为倾斜面，且所述第一反射环远离所述第一外延层的表面朝向所述第一外延层的投影区域位于所述第一反射环靠近所述第一外延层的表面朝向所述第一外延层的投影区域范围内； 所述第一反射环的倾斜侧壁与所述多量子阱层的倾斜侧壁之间形成V形角度。

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