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龙图腾网获悉宁夏大学申请的专利金银双层纳米阵列结构的SERS基底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117431509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311204346.9，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权金银双层纳米阵列结构的SERS基底及其制备方法是由徐艳茹;汪燕青;苏家玉;贾智勇;韩松设计研发完成，并于2023-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本金银双层纳米阵列结构的SERS基底及其制备方法在说明书摘要公布了：一种金银双层纳米阵列结构的SERS基底及其制备方法，属于纳米复合材料技术领域，本发明通过高温快速退火法制备金纳米颗粒阵列，然后利用真空热蒸发法蒸镀铜膜，最后通过在硝酸银溶液中化学置换，获得所述金银双层纳米阵列结构的SERS基底。SERS性能测试结果表明，孔雀石绿在银纳米阵列AgNPs基底和金纳米阵列AuNPs基底上的检出限分别为10‑5、10‑4molL，孔雀石绿在所述金银双层纳米阵列结构的SERS基底上的检出限可降低至10‑8molL，说明本发明Au@Ag三维基底灵敏度较高；FDTD仿真单层AuNPs基底、单层AgNPs基底和Au@Ag三维基底的吸收曲线和电场分布结果显示，Au@Ag三维基底相比于单层AuNPs基底和单层AgNPs基底展现出更强的局域电磁场增强效应。

本发明授权金银双层纳米阵列结构的SERS基底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金银双层纳米阵列结构的SERS基底的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1采用离子溅射法在硅片衬底上溅射一层金膜，将覆盖金膜的硅片衬底进行真空高温快速退火，得到周期性金纳米球冠状阵列； 2采用真空热蒸发法在所述周期性金纳米球冠状阵列上蒸镀一层铜膜，得到基片； 3将所述基片浸入AgNO3溶液中进行化学置换反应，以在规则排列的金纳米上产生银纳米阵列，得到所述金银双层纳米阵列结构的SERS基底； 所述步骤1中，金膜的厚度为5nm；所述步骤2中，铜膜的厚度为5nm； 所述步骤1中，溅射时间为5-60秒，退火温度为700-850℃，退火时间为3-30分钟； 所述步骤3中，化学置换反应的条件为：将基片浸入0.01molL的AgNO3溶液中浸泡10-60分钟后取出，在清水中浸泡1-10分钟，自然干燥，即得到所述金银双层纳米阵列结构的SERS基底。

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