恩特格里斯公司王瀚获国家专利权
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龙图腾网获悉恩特格里斯公司申请的专利氮化硅的选择性沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311418420.7，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权氮化硅的选择性沉积是由王瀚;B·C·亨德里克斯;E·孔多;T·H·鲍姆设计研发完成，并于2020-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化硅的选择性沉积在说明书摘要公布了：本申请涉及氮化硅的选择性沉积。本发明的某些实施例利用低温原子层沉积方法来形成含有硅和氮的材料例如，氮化硅。所述原子层沉积使用四碘化硅SiI4或六碘化二硅Si2I6作为一种前体并且使用例如氨的含氮材料作为另一前体。在需要氮化硅的选择性沉积于二氧化硅上方进行沉积的情形中，首先用氨等离子体处理衬底表面。
本发明授权氮化硅的选择性沉积在权利要求书中公布了：1.一种在具有多个不同组成的表面的微电子装置衬底上选择性沉积氮化硅的方法，所述方法包含在原子层沉积条件下、在175℃到350℃的温度下并且在低于15托的压力下，使所述衬底与依序经脉冲化的四碘化硅或六碘化二硅和含氮共反应物接触，其中所述装置衬底包含选自氮化硅、氮化钛、氮化钽和氮化铝、氧化铪、氧化锆、氧化铝以及其组合的一些表面，所述表面相比于同一衬底上选自具有抑制的氮化硅沉积的二氧化硅、二氧化锗、SiCO和低k衬底的其它表面具有增强的氮化硅沉积，其中所述方法进一步包含用氨等离子体预处理所述衬底的步骤。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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