长鑫存储技术有限公司苏星松获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116867263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210289745.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制作方法是由苏星松;肖德元;白卫平设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决字线不易制作的技术问题，该制作方法包括：在衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿第一方向交替堆叠设置的牺牲层和有源层；去除位于第一区域的部分叠层结构，形成多条间隔设置且沿第二方向延伸的第一沟槽，第一沟槽暴露衬底，以将位于第一区域的有源层分隔成多个间隔设置的有源柱；去除位于第一区域和第二区域的牺牲层；去除位于第二区域的部分有源层，以在第二区域远离第一区域的一端形成呈台阶状的多个连接层；形成栅极材料层包覆连接层和有源柱。栅极材料层用作字线，通过设置连接层，便于制作字线，并将字线引出。
本发明授权存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括沿第一方向交替堆叠设置的牺牲层和有源层； 去除位于第一区域的部分所述叠层结构，形成多条间隔设置且沿第二方向延伸的第一沟槽，所述第一沟槽暴露所述衬底，以将位于所述第一区域的所述有源层分隔成多个间隔设置的有源柱； 利用所述第一沟槽，去除位于所述第一区域和第二区域的所述牺牲层，以使位于所述第一区域的所述有源柱和所述第二区域的所述有源层均沿所述第一方向间隔设置，其中，所述第二区域与所述第一区域相邻； 去除位于所述第二区域的部分所述有源层，以在所述第二区域远离所述第一区域的一端形成呈台阶状的多个连接层； 形成栅极材料层包覆所述连接层和所述有源柱，且位于同一层的所述连接层和所述有源柱上形成的所述栅极材料层相互连通，位于不同层的所述连接层和所述有源柱上形成的所述栅极材料层相互隔离。
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