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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种具有高均匀性长波长GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116706687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210176963.1，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种具有高均匀性长波长GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法是由赵凯迪;朱振;任万测设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高均匀性长波长GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有高均匀性长波长GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域，方法包括利用MOCVD技术在GaAs衬底上由下至上依次生长包括GaAs缓冲层，Alx1Ga1‑x1AsN限制层，Alx2Ga1‑x2As下波导层，Alx3Iny1Ga1‑x3‑y1As量子阱层，Alx4Ga1‑x4As上波导层，Alx5Ga1‑x5AsP限制层，GaAs欧姆接触层，采用原子分布的方式进行生长长波长外延片AlGaInAs量子阱，其中III族源TMAl、TMGa、TMIn和V族源AsH3分离，生长量子阱前停止生长、原子分布方式生长量子阱配合低压生长，生长时采用停止通入AsH3，先通入TMIn，在高温下TMIn先进行裂解，In原子会均匀的吸附在外延层表面，再同时通入TMAl和TMGa，裂解的Al原子和Ga原子会分布在In原子的表面，最后通入AsH3，完成AlGaInAs量子阱的生长，实现了高In含量量子阱高质量波长均匀生长。

本发明授权一种具有高均匀性长波长GaAs基大功率激光器外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高均匀性长波长GaAs基大功率激光器外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1.将GaAs衬底放在MOCVD设备生长室内，H2环境升温到740-780℃烘烤20-40分钟，再通入AsH3,反应室压力为50-70mbar，对GaAs基衬底进行高温热处理去除衬底表面水氧，并为步骤2做准备； 2.当反应室温度下降到720-750℃，通入TMGa和AsH3，在GaAs衬底上生长厚度在100-300nm的GaAs缓冲层； 3.当反应室温度下降到640-680℃，通入TMAl、TMGa和AsH3，在步骤2上生长Alx1Ga1-x1AsN限制层，厚度为2-3um； 4.保持温度在640-680℃，步骤3完成后，通入TMAl、TMGa和AsH3，生长Alx2Ga1-x2As下波导层，厚度为500-800nm； 5.保持温度在640-680℃，步骤4完成后，停止通入TMAl、TMGa和AsH3，停止生长5-15s； 6.保持温度在640-680℃，步骤5完成后，先通入TMIn，通入时间T1为2-5s，再通入TMGa、TMAl，通入时间T2＝15-20s，TMAl通入时间T3为1-4s，TMGa和TMAl同时通入，最后通入AsH3，生长厚度为5-10nm的Alx3Iny1Ga1-y1-x3As量子阱层； 7.保持温度在640-680℃，步骤6中Alx3Iny1Ga1-y1-x3As量子阱层生长完成后，通入TMAl、TMGa和AsH3,继续生长厚度为500-800nm的Alx4Ga1-x4As上波导层； 8.保持温度在640-680℃，步骤7完成后，通入TMAl、TMGa和AsH3，生长Alx5Ga1-x5AsP限制层，厚度为1-3um； 9.当反应室温度下降至540-560℃，通入TMGa和AsH3，在Alx5Ga1-x5AsP限制层上生长厚度在100-300nm的GaAs欧姆接触层。

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