鲁汶天主教大学M·克拉夫特获国家专利权
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龙图腾网获悉鲁汶天主教大学申请的专利超声换能器阵列器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116600907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180078122.0，技术领域涉及：B06B1/02；该发明授权超声换能器阵列器件是由M·克拉夫特;R·普尔斯;S·萨德格普尔沙姆萨巴迪设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本超声换能器阵列器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种超声换能器多层结构，包括：限定二极管的半导体层堆叠；与所述二极管电串联的并且包括至少部分设置在二极管上的第一导电层的微加工的超声换能器MUT层堆叠；腔，该腔在包括该半导体层堆叠的至少一部分和第一导电层的区域上延伸，其中该MUT层堆叠包括至少部分地在所述区域上延伸的膜。根据本发明的超声换能器多层结构可被用在用于测量对象的至少一个特性的传感器装置中，其中该传感器装置用于医学成像，诸如心脏成像、产科、妇科、腹部成像、血管内成像和乳房X线摄影，或无损检测NDA、指纹传感器、测距仪、手势识别、超声触觉反馈、超声通信或MEMs扬声器。
本发明授权超声换能器阵列器件在权利要求书中公布了：1.一种超声换能器多层结构10、10’、50、80、100，包括： 半导体层堆叠13、53、83，所述半导体层堆叠限定二极管5， 微加工的超声换能器MUT层堆叠，所述MUT层堆叠与所述二极管电串联并且被至少部分地设置在所述半导体层堆叠上，所述MUT层堆叠包括被夹在所述半导体层堆叠和所述MUT层堆叠之间的导电层，用于提供与所述二极管和所述MUT层堆叠的电接触， 腔C1、C2、C3、107，所述腔在包括所述半导体层堆叠的至少一部分和所述导电层的区域R1、R2、R3、R4上延伸， 其中所述MUT层堆叠包括至少部分地在所述区域上延伸的膜。
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