应用材料公司S·M·博贝克获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利处理腔室沉积限制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116568861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180082431.5，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权处理腔室沉积限制是由S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;S·河;K·D·李设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理腔室沉积限制在说明书摘要公布了：示例性半导体处理系统可以包括腔室主体，该腔室主体包括侧壁和基部。该系统可包括延伸穿过腔室主体基部的基板支撑件。腔室主体可限定通路，该通路在该腔室主体的该基部处绕该基板支撑件周向地延伸。该系统可包括设置在腔室主体内的一个或多个隔离器。一个或多个隔离器可在一个或多个隔离器与腔室主体之间限定排放路径。排放路径可延伸到腔室主体的基部。该系统可包括流体源，该流体源在绕该基板支撑件延伸的该通路处与该腔室主体流体地耦接。
本发明授权处理腔室沉积限制在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理系统，包括： 腔室主体，所述腔室主体包含侧壁和基部； 基板支撑件，所述基板支撑件延伸穿过所述腔室主体的所述基部，其中所述腔室主体限定通路，所述通路在所述腔室主体的所述基部处绕所述基板支撑件周向地延伸； 一个或多个隔离器，所述一个或多个隔离器设置在所述腔室主体内，其中所述一个或多个隔离器在所述一个或多个隔离器与所述腔室主体之间限定排放路径，且其中所述排放路径延伸到所述腔室主体的所述基部； 流体源，所述流体源在绕所述基板支撑件延伸的所述通路处与所述腔室主体流体地耦接；及 泵送衬里，所述一个或多个隔离器位于所述泵送衬里上，其中所述泵送衬里限定多个孔，所述多个孔提供到所述排放路径的流体通路。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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