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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116559616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310233202.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法是由罗皓泽;金昱廷;朱安康;叶朔煜;李武华;何湘宁设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法，包括碳化硅功率场效应晶体管S1和S2；主电路单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连；驱动单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连；温控单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的封装相连；结温采样单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的芯片相接触；电流采样单元，连接到主电路单元的回路中；光谱测量单元，设置在碳化硅功率场效应晶体管S2的表面；结温电流检测单元，分别与结温采样单元、电流采样单元和光谱测量单元连接，用于碳化硅功率场效应晶体管的结温与电流计算。本发明可在线应用于碳化硅功率器件的工作结温与电流监测，且具有检测频率较高、电流和结温误差较小的优点。

本发明授权一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率场效应晶体管结温与电流监测系统，其特征在于：包括碳化硅功率场效应晶体管S1和S2； 主电路单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连； 驱动单元，与碳化硅功率场效应晶体管S1和S2相连，用于提供开关控制信号； 温控单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的封装相连，用于调节环境温度； 结温采样单元，与碳化硅功率场效应晶体管S2的芯片相接触，用于标定测试环节测量实际工作结温； 电流采样单元，连接到主电路单元的回路中，用于标定测试环节测量实际工作电流； 光谱测量单元，设置在碳化硅功率场效应晶体管S2的表面，用于将碳化硅功率场效应晶体管S2的完整电致发光谱转换为电信号； 结温电流检测单元，分别与结温采样单元、电流采样单元和光谱测量单元连接，用于碳化硅功率场效应晶体管的结温与电流计算； 所述主电路单元包括直流电压源Vin、电感L、储能电容C和负载电阻R；所述直流电压源Vin的正极与碳化硅功率场效应晶体管S1的漏极相连，直流电压源Vin的负极与碳化硅功率场效应晶体管S2的源极、储能电容C的一端以及负载电阻R的一端相连；所述碳化硅功率场效应晶体管S1的源极与碳化硅功率场效应晶体管S2的漏极和电感L的一端相连；所述电感L的另一端与储能电容C的另一端以及负载电阻R的另一端相连； 所述驱动单元包含两个碳化硅功率场效应晶体管驱动电路和为驱动电路供电的直流电压源；一个驱动电路与碳化硅功率场效应晶体管S1的栅极与源极相连，另一个驱动电路与碳化硅功率场效应晶体管S2的栅极与源极相连； 所述光谱测量单元包括入射狭缝、闪耀光栅和CMOS线列图像传感器；所述光谱测量单元固定于设置在碳化硅功率场效应晶体管S2的硅胶层表面，阻止环境杂散光进入器件封装；所述入射狭缝垂直于碳化硅功率场效应晶体管S2的芯片边缘布置，所述碳化硅功率场效应晶体管S2的电致发光光束经过入射狭缝后由闪耀光栅色散，不同波长的光汇聚到CMOS线列图像传感器的不同像素中。

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