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国际商业机器公司G·S·塞耶德获国家专利权

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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利多端神经形态器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116472535B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180075207.3,技术领域涉及:G06N3/063;该发明授权多端神经形态器件是由G·S·塞耶德;A·塞巴斯蒂安;T·莫莱蒂斯;B·克斯廷设计研发完成,并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

多端神经形态器件在说明书摘要公布了:神经形态存储器元件100,200,300,706包括忆阻器,可以提供多个神经形态存储器元件100,200,300,706以及用于操作该神经形态存储器元件的方法。忆阻器包括输入信号端子104、输出信号端子106和控制信号端子、以及包括相变材料的忆阻有源沟道108。忆阻有源沟道108在输入信号端子104与输出信号端子106之间纵向延伸,并且控制信号端子处的控制信号电压被配置成表示神经形态存储器元件100,200,300,706的易失性生物神经过程,并且输入信号端子104与输出信号端子106之间的偏置电压被配置成表示神经形态存储器元件100,200,300,706的非易失性生物过程。

本发明授权多端神经形态器件在权利要求书中公布了:1.一种包括忆阻器的神经形态存储器元件,所述忆阻器包括: 输入信号端子; 输出信号端子; 控制信号端子; 包括相变材料的忆阻有源沟道; 其中: 所述忆阻有源沟道在所述输入信号端子与所述输出信号端子之间纵向延伸; 在所述控制信号端子处的控制信号被配置成表示所述神经形态存储器元件的易失性生物神经过程;以及 所述输入信号端子与所述输出信号端子之间的偏置电压被配置成表示所述神经形态存储器元件的非易失性生物神经过程, 其中,所述忆阻器还包括: 具有顶表面和背表面的载体材料; 在所述载体材料的所述顶表面之上的第一电介质材料层; 源极端子和漏极端子,通过在所述第一电介质材料层之上的所述忆阻有源沟道连接;以及 位于所述第一电介质材料层下方的背栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人国际商业机器公司,其通讯地址为:美国纽约阿芒克;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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