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龙图腾网获悉崇辉半导体(江门)有限公司申请的专利一种半导体引线框架表面耐氧化耐腐蚀镀层处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116463697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310401415.9，技术领域涉及：C25D5/12；该发明授权一种半导体引线框架表面耐氧化耐腐蚀镀层处理工艺是由郑建国;罗小平;张普昆设计研发完成，并于2023-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体引线框架表面耐氧化耐腐蚀镀层处理工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体引线框架表面处理技术领域，具体公开了一种半导体引线框架表面耐氧化耐腐蚀镀层处理工艺。处理工艺包括：S1、电解脱脂，水洗；S2、一次活化，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗，电镀镍，水洗；S3、二次活化，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗，电镀铜，水洗；S4、部分遮蔽，三次活化，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗，电镀银，水洗；S5、除去遮蔽，退火；S6、钝化，水洗，烘干至恒重。钝化液主要由以下重量份的原料制成：水1000份、2‑乙基苯并咪唑5‑8份、支状酰胺0.5‑1.5份、冰醋酸1‑3份。该处理方法获得的半导体引线框架，具有优良的耐氧化耐腐蚀性，满足市场需求。

本发明授权一种半导体引线框架表面耐氧化耐腐蚀镀层处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体引线框架表面耐氧化耐腐蚀镀层处理工艺，其特征在于：包括如下步骤： S1、对半导体引线框架进行电解脱脂，水洗； S2、将半导体引线框架浸泡在酸活化液中进行一次活化，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗，之后将半导体引线框架浸泡在镍电镀液中进行电镀，形成镍金属层，水洗； S3、将半导体引线框架浸泡在酸活化液中进行二次活化，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗，之后将半导体引线框架浸泡在铜电镀液中进行电镀，形成铜金属层，水洗； S4、对半导体引线框架于镀银区域之外的部分进行遮蔽，然后浸泡在酸活化液中进行三次活化，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗，之后将半导体引线框架浸泡在银电镀液中进行电镀，形成银金属层，水洗； S5、除去半导体引线框架表面的遮蔽，然后进行退火； S6、将半导体引线框架浸泡在钝化液中，于温度为40-50℃下，钝化处理20-40min，水洗，烘干至恒重，完成半导体引线框架表面处理； 所述钝化液主要由以下重量份的原料制成：去离子水1000份、2-乙基苯并咪唑5-8份、支状酰胺0.5-1.5份、冰醋酸1-3份； 所述支状酰胺采用以下方法制备：在无水乙醇中加入3-丁烯酸甲酯、部分乙二胺，搅拌处理9-11h，再加入剩余乙二胺，搅拌处理9-11h，减压蒸馏，获得支状酰胺； 部分乙二胺的添加量为异烟酸乙酯总重的0.13-0.17倍；剩余乙二胺的添加量为异烟酸乙酯总重的0.55-0.65倍； 所述铜电镀液主要由以下重量份的原料制成：去离子水1000份、五水合硫酸铜40-50份、硫酸钾70-90份、柠檬酸钠5-15份、吡啶配合体10-20份、十二烷基硫酸钠0.1-0.3份； 所述银电镀液主要由以下重量份的原料制成：去离子水1000份、硝酸银15-25份、硫酸钾45-65份、柠檬酸钠2-8份、吡啶配合体5-15份、十二烷基硫酸钠0.1-0.3份、3,3'-二硫代双1-丙磺酸二钠0.1-0.3份； 所述吡啶配合体采用以下方法制备： 将乙腈升温至70-80℃，加入4,4'-二溴甲基联苯、异烟酸乙酯，搅拌处理22-26h，降温至20-30℃，过滤，获得中间产物； 将硫酸溶液升温至70-80℃，加入中间产物，搅拌处理7-9h，降温至20-30℃，过滤，水洗，烘干至恒重，获得吡啶配合体； 所述4,4'-二溴甲基联苯的添加量为异烟酸乙酯总重的0.9-1.3倍；硫酸溶液的添加量为异烟酸乙酯总重的9-11倍，硫酸溶液的质量浓度为10-20%。

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