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龙图腾网获悉崇辉半导体(江门)有限公司申请的专利一种提升半导体引线框架镀层稳定性的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116463693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310401416.3，技术领域涉及：C25D3/38；该发明授权一种提升半导体引线框架镀层稳定性的处理方法是由罗小平;郑建国;潘立文设计研发完成，并于2023-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升半导体引线框架镀层稳定性的处理方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体引线框架制造技术领域，具体公开了一种提升半导体引线框架镀层稳定性的处理方法。处理方法包括：S1、对半导体引线框架进行电解脱脂，水洗；S2、将半导体引线框架放入酸活化液中浸泡，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗；S3、将半导体引线框架放入铜电镀液中电镀，水洗；S4、在惰性气体保护、温度为140‑160℃下，将半导体引线框架静置处理2‑3h；S5、将半导体引线框架放入钝化液中浸泡，水洗，烘干；酸活化液包括以下溶质：浓硫酸5‑8gL、冰醋酸1‑3gL、双十八烷基二甲基氯化铵1‑3gL。处理方法获得的半导体引线框架，镀层具有优良的稳定性以及热稳定性，还具有高硬度的优点，满足市场需求。

本发明授权一种提升半导体引线框架镀层稳定性的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种提升半导体引线框架镀层稳定性的处理方法，其特征在于：包括如下步骤： S1、预处理：对半导体引线框架进行电解脱脂，水洗； S2、活化：将半导体引线框架放入酸活化液中，浸泡处理15-25s，水洗，氟化铵溶液洗涤，水洗； S3、镀铜：将半导体引线框架放入铜电镀液中进行电镀，且在半导体引线框架表面电镀出铜层，水洗； S4、退火：在惰性气体保护、温度为140-160℃下，将半导体引线框架静置处理2-3h，降温； S5、钝化：将半导体引线框架放入钝化液中浸泡，且在表面附上保护膜，水洗，烘干，完成半导体引线框架表面处理； 所述酸活化液以去离子水为溶剂，按质量浓度计，酸活化液包括以下溶质：浓硫酸5-8gL、冰醋酸1-3gL、双十八烷基二甲基氯化铵1-3gL； 所述铜电镀液以去离子水为溶剂，按质量浓度计，铜电镀液包括以下溶质：五水合硫酸铜40-50gL、导电盐70-90gL、有机盐络合物10-20gL、柠檬酸钠5-15gL、阴离子表面活性剂0.1-0.3gL； 所述有机盐络合物采用以下方法制备： SA、在不断搅拌下，于乙腈中加入异烟酸乙酯、4,4'-二溴甲基联苯混合，升温至70-80℃，保温处理22-26h，降温，过滤，获得固体物A； SB、在不断搅拌下，于硫酸溶液中加入固体物A混合，升温至70-80℃，保温处理7-9h，降温，过滤，洗涤，烘干，获得有机盐络合物； 所述异烟酸乙酯、4,4'-二溴甲基联苯、硫酸溶液的重量配比为10:9-13:90-110，且，硫酸溶液的质量浓度为10-20%。

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