华中科技大学沈力获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种硅基片上双波段偏振分束器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116449492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310328539.9，技术领域涉及：G02B6/125；该发明授权一种硅基片上双波段偏振分束器是由沈力;程光炼;衣启源;郑爽设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基片上双波段偏振分束器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基片上双波段偏振分束器，属于硅基光子学领域。包括双波段模式复用器、第一布拉格光栅和第二布拉格光栅。双波段模式复用器由两个锥形波导组成，其中较宽的波导是总线波导，较窄的波导是接入波导，接入波导和总线波导通过S弯曲波导分离。布拉格光栅是通过在内部刻蚀孔形成的，用于1550nm波段和2000nm波段的模式转换，将前向传播的TE0模式转换为后向传播的TE1模式，再将后向传播的TE1模式解复用为接入波导中的TE0模式并进行分离。而TM0模式可以直接通过双波段模式复用器和布拉格光栅进行传输，从而形成一种片上双波段偏振分束器。本发明明显提升了器件的工作带宽，满足集成光电子器件的尺寸要求，将更灵巧的应用于光互连系统中。
本发明授权一种硅基片上双波段偏振分束器在权利要求书中公布了：1.一种硅基片上双波段偏振分束器，其特征在于，包括依次级联的双波段模式复用器1、第一布拉格光栅2和第二布拉格光栅3，所述双波段模式复用器1包括两个宽度不同的锥形渐变波导，其中较宽的波导为总线波导，较窄的波导为接入波导，接入波导两端通过S弯曲波导与总线波导分离，总线波导与第一布拉格光栅2直接连接；所述双波段模式复用器1用于将第一波段和第二波段后向传播的TE1模式转换为接入波导中的TE0模式；第一布拉格光栅2用于将第一波段前向传播的TE0模式转换为后向传播的TE1模式，第二布拉格光栅3用于将第二波段前向传播的TE0模式转换为后向传播的TE1模式；所述第一布拉格光栅2和第二布拉格光栅3通过在多模波导内部刻蚀两排孔，并且两排孔错位半个周期形成π的相位差。
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