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拉普拉斯新能源科技股份有限公司庞爱锁获国家专利权

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龙图腾网获悉拉普拉斯新能源科技股份有限公司申请的专利一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116386746B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310281476.6,技术领域涉及:G16C20/10;该发明授权一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法是由庞爱锁;林佳继;刘群设计研发完成,并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法在说明书摘要公布了:本发明涉及数值模拟仿真技术领域,公开了一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法,包括导入反应器的三维几何模型,并进行简化处理,得到简化后的三维几何模型,对简化后的三维几何模型进行网格化,建立网格文件,将网格文件导入模拟软件,设置计算求解器,在计算求解器里选择物理模型并设定单元区域条件和边界条件,在计算求解器里初始化计算流场,开始迭代计算求解,当迭代计算收敛后,得到反应器的气流分布云图、反应器的温度变化云图和化学反应硅的沉积率云图,完成对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真。本发明缩短了仿真计算周期,保证了仿真结果的准确性,为后期对反应器结构和沉积薄膜均匀性的改进,提供了可靠的数据支撑。

本发明授权一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法在权利要求书中公布了:1.一种对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真方法,其特征在于,所述方法包括: 导入反应器的三维几何模型; 对所述反应器的三维几何模型进行简化处理,并得到简化后的三维几何模型; 对所述简化后的三维几何模型进行网格化,建立网格文件; 将所述网格文件导入模拟软件,并设置计算求解器; 在所述计算求解器里选择物理模型,其中,所述物理模型包括湍流模型、能量模型、组分模型和辐射模型; 在所述计算求解器里设定单元区域条件和边界条件; 在所述计算求解器里初始化计算流场,并开始迭代计算求解; 当迭代计算收敛后,得到所述反应器的气流分布云图、所述反应器的温度变化云图和化学反应硅的沉积率云图,完成对多晶硅低压化学气相沉积的模拟仿真; 对所述简化后的三维几何模型进行网格化,建立网格文件时,包括: 对所述简化后的三维几何模型进行网格划分; 对划分后的网格进行检查处理,并获得合格的网格文件和不合格的网格文件,其中,所述检查处理包括检查网格文件尺寸比例、检查网格文件疏密度、检查网格文件网格质量和检查网格文件网格数量; 基于局部网格控制对所述不合格的网格文件中的预设部位进行细化,完成对网格文件的建立,其中,所述预设部位包括直通喷淋管的细孔、直通喷淋管的出口和环形喷淋管的细孔; 在所述计算求解器里设定单元区域条件和边界条件时,包括: 设定所述计算求解器内单元区域的材料属性或流体属性; 设定直通喷淋管的入口质量流量、入口速度方向和入口温度; 设定环形喷淋管的细孔的总入口质量流量、入口速度方向和入口温度; 设定所述反应器的出口压力; 设定所述物理模型的换热条件; 在所述计算求解器里初始化计算流场,并开始迭代计算求解时,包括: 设定所述反应器的初始压力、所述反应器的初始流动速度和所述反应器的温度; 设定硅烷的初始浓度; 基于所述反应器的初始压力、所述反应器的初始流动速度、所述反应器的温度和所述硅烷的初始浓度,进行迭代计算求解; 根据所述化学反应硅的沉积率云图获取所述化学反应硅的沉积率; 根据所述化学反应硅的沉积率计算获得所述化学反应硅的均匀性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人拉普拉斯新能源科技股份有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道吉康路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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