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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116347890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310422893.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由吴俊;张民慧;王金春;江长设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供第一基底；在第一基底上形成导电层；在导电层上形成填充层；在填充层中形成贯穿填充层的电容孔，电容孔暴露出导电层的部分表面；在电容孔内形成依次层叠的第二电极层、电介质层和第一电极层，第一电极层、电介质层和第二电极层构成电容结构；提供第二基底，第二基底的表面具有接触结构，接触结构的位置与第一电极层的位置相对应；将第一基底与第二基底正对，以使第一电极层与接触结构正对并接触，并将第一基底和第二基底键合；去除第一基底。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法至少有利于提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供第一基底；在所述第一基底上形成导电层；在所述导电层上形成填充层；在所述填充层中形成贯穿所述填充层的电容孔，所述电容孔暴露出所述导电层的部分表面；在所述电容孔内形成依次层叠的第二电极层、电介质层和第一电极层，所述第二电极层覆盖所述电容孔的内壁和所述填充层的表面；所述电介质层覆盖所述第二电极层的表面；所述第一电极层覆盖所述电介质层的表面且填充满所述电容孔，所述第一电极层、所述电介质层和所述第二电极层构成电容结构； 提供第二基底，所述第二基底的表面具有接触结构，所述接触结构的位置与所述第一电极层的位置相对应；将所述第一基底与所述第二基底正对，以使所述第一电极层与所述接触结构正对并接触，并将所述第一基底和所述第二基底键合；去除所述第一基底； 所述填充层的材料与所述第二电极层的材料相同，以使得所述填充层用于作为所述第二电极层；形成所述电容结构包括： 在所述电容孔内形成依次层叠的所述电介质层和所述第一电极层，所述电介质层覆盖所述电容孔的内壁和所述填充层的表面； 所述第一电极层覆盖所述电介质层的表面且填充满所述电容孔，所述第一电极层、所述电介质层和所述填充层构成电容结构。

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