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龙图腾网获悉北京铭镓半导体有限公司申请的专利一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116276620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310103535.0，技术领域涉及：B24B37/005；该发明授权一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法是由吴忠亮;赵德刚;吕进;胡开朋设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法。一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法，其包括如下操作步骤：S1、在单晶锭待衍射晶面的背面绘制平面直角坐标系；S2、对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第一分量α；S3、将单晶锭顺时针旋转90°再对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第二分量β；S4、利用第一分量α和第二份量β计算取向偏离角γ和迹线角δ；S5、在单晶锭背面的平面直角坐标系中绘出迹线，将单晶锭上表面研磨平整。采用本申请用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法的修整时间在4.0‑4.1h，大幅度缩短修整单晶锭取向偏离的加工周期，减少晶体材料损耗。

本发明授权一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于修整薄板状单晶锭晶向偏离的方法，其特征在于，所述方法包括如下操作步骤： S1、在所述单晶锭待衍射表面的背面绘制平面直角坐标系； S2、对所述待衍射表面进行X射线衍射定向，计算取向偏离的第一分量α； S3、将所述单晶锭顺时针旋转90°再对所述待衍射表面进行X射线衍射定向，计算取向偏离的第二分量β； S4、利用所述第一分量α和第二分量β计算取向偏离角γ和迹线角δ； S5、在所述单晶锭背面的平面直角坐标系中绘出迹线，将单晶锭的衍射表面粘接在垫块上，在配备有正弦吸盘的平面磨床上调出倾斜角，将垫块连同单晶锭吸牢在正弦吸盘上，将单晶锭上表面根据绘出所述迹线研磨平整； 所述步骤S2衍射定向中，使所述平面直角坐标系的x轴平行于衍射平面，并使X射线从负x轴侧入射，从正x轴侧衍射； 所述晶向偏离的第一分量α计算方式为：确定待衍射晶面的布拉格角θ和步骤S2测得待衍射表面的最大衍射峰时的测角仪对应的角度θ1，所述最大衍射峰对应的角度θ1与布拉格角θ的差值即为所述取向偏离的第一分量α； 所述步骤S3衍射定向中，将单晶锭顺时针旋转90°，使所述平面直角坐标系的y轴平行于理想的衍射平面，并使X射线从负y轴侧入射，从正y轴侧衍射； 所述晶向偏离的第二分量β的测定方式为：测出所述步骤S3待衍射表面最大衍射峰时的测角仪对应的角度θ2，所述最大衍射峰的对应角度θ2与布拉格角θ的差值即为所述取向偏离的第二分量β； 所述取向偏离角γ的计算公式为tan2γ=tan2α+tan2β；所述迹线角δ的计算公式为tanδ=tanβtanα； 所述步骤S5在单晶锭背面的平面直角坐标系中绘出迹线的规则如下： 当α＞0，且β＞0时，迹线角δ位于所述步骤S1直角坐标系的第一象限内；过原点O在第一象限内绘制射线OP，使OP与正x轴的夹角为迹线角δ，并作OP的反向延长线OH，HP即为迹线； 当α＞0，且β＜0时，迹线角δ位于所述步骤S1直角坐标系的第四象限内；过原点O在第四象限内绘制射线OP，使OP与正x轴夹角为迹线角δ，并作OP的反向延长线OH，HP即为迹线； 当α＜0，且β＞0时，迹线角δ位于所述步骤S1直角坐标系的第二象限内；过原点O在第二象限内绘制射线OP，使OP与负x轴夹角为迹线角δ，并作OP的反向延长线OH，HP即为迹线； 当α＜0，且β＜0时，迹线角δ位于所述步骤S1直角坐标系的第三象限内；过原点O在第三象限内绘制射线OP，使OP与负x轴夹角为迹线角δ，并作OP的反向延长线OH，HP即为迹线。

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