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龙图腾网获悉财团法人工业技术研究院申请的专利沉积设备及沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116254520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111588509.9，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权沉积设备及沉积方法是由王亘黼;董福庆;王庆钧设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本沉积设备及沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种沉积设备及沉积方法，其中沉积设备包括腔体、平台、喷洒头、偏压电源、第一注入装置以及第二注入装置。平台及喷洒头配置于腔体内，且平台用以承载具有高深宽比结构的基材。偏压电源耦接于平台。第一注入装置与第二注入装置连接腔体，其中第一注入装置沿第一方向将第一前驱物或第一惰性气体通过喷洒头注入腔体，且第二注入装置沿垂直于第一方向的第二方向将第二前驱物或第二惰性气体注入腔体。当第一前驱物或第二前驱物注入腔体时，开启偏压电源。当第一惰性气体或第二惰性气体注入腔体时，关闭偏压电源。

本发明授权沉积设备及沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种沉积方法，适用于高深宽比结构的原子层沉积，其中所述沉积方法包括： 沿第一方向将第一前驱物注入腔体，并开启偏压电源，以将所述第一前驱物吸引至具有所述高深宽比结构的基材的表面； 沿垂直于所述第一方向的第二方向将第二前驱物注入所述腔体，并开启偏压电源，以将所述第二前驱物吸引至具有所述高深宽比结构的所述基材上，其中所述第一方向为垂直方向，且所述第二方向为水平方向； 沿所述第一方向将第一惰性气体注入所述腔体，并关闭偏压电源，以清除所述高深宽比结构中的多余的所述第一前驱物或多余的所述第二前驱物或副产物；以及 沿所述第二方向将第二惰性气体注入所述腔体，并关闭偏压电源，以清除所述高深宽比结构中的多余的所述第一前驱物或多余的所述第二前驱物或副产物， 其中， 将所述第一前驱物注入所述腔体与将所述第二前驱物注入所述腔体的步骤依序交替执行，以在所述高深宽比结构内中形成均匀厚度的薄膜， 在注入所述第一前驱物或所述第二前驱物以进行沉积反应时，开启所述偏压电源以通过偏压作用吸引所述第一前驱物或所述第二前驱物， 其中，所述第一前驱物、所述第二惰性气体、所述第二前驱物和所述第一惰性气体依序注入所述腔体。

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