台湾积体电路制造股份有限公司张宏宾获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223987383U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520095037.0，技术领域涉及：H10W76/63；该实用新型半导体结构是由张宏宾;谢正贤;吕翰一;许立翰;吴伟诚;叶德强设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括彼此堆叠并接合的第一半导体管芯和第二半导体管芯、密封第一和第二半导体管芯的接合界面的封盖层以及设置在第二半导体管芯上方并覆盖第一半导体管芯和封盖层的绝缘包封体。第一半导体管芯包括第一部分和连接到第一部分的第二部分，并且第一部分比第二部分更宽。封盖层有助于在绝缘包封体形成期间减少分层和裂缝产生或传播的风险，进而实现具有减少的缺陷的半导体结构、改善可靠度并改善良率。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一半导体管芯和第二半导体管芯，彼此堆叠并接合，所述第一半导体管芯包括第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，并且所述第一部分比所述第二部分更宽； 封盖层，密封所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的接合界面；以及 绝缘包封体，设置在所述第二半导体管芯上方并覆盖所述第一半导体管芯和所述封盖层。
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