扬州乾照光电有限公司;江西乾照半导体科技有限公司李皇获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司;江西乾照半导体科技有限公司申请的专利一种Mini-LED芯片、显示设备及照明设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223987339U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520498081.6，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型一种Mini-LED芯片、显示设备及照明设备是由李皇;赵鹏;陈森煜;曹金如;徐晓刚;费云瑞;何剑;李敏华设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Mini-LED芯片、显示设备及照明设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种Mini‑LED芯片、显示设备及照明设备，涉及半导体技术领域。凹槽的位置由现有技术中位于其中一条长边的一侧变换为位于其中一条短边的一侧，基于凹槽在版图上位置的调整，在对外延结构进行处理时可以形成基于对称轴为对称结构的多量子阱层，对称轴为两条短边的中点连线，以使得Mini‑LED芯片的发光区基于该对称轴为对称结构，以此保证Mini‑LED芯片固定在蓝膜上之后，可以使对称的发光区在对称轴的两侧位置与蓝膜的胶体粘附程度相同，解决Mini‑LED芯片正面朝下受外力后，粘力不足以支撑而发生芯片倾斜、倒晶等问题，出货到客户端后提高客户固晶效率。
本实用新型一种Mini-LED芯片、显示设备及照明设备在权利要求书中公布了：1.一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述Mini-LED芯片为长方形的Mini-LED芯片，所述Mini-LED芯片包括相对设置的两条短边，所述Mini-LED芯片包括： 目标衬底； 位于所述目标衬底一侧的外延结构，所述外延结构包括在第一方向上依次层叠设置的P型半导体层、多量子阱层以及N型半导体层；所述第一方向垂直于所述目标衬底所在平面，且由所述目标衬底指向所述外延结构； 所述Mini-LED芯片的其中一条短边一侧的外延结构具有凹槽，所述凹槽暴露出所述P型半导体层的部分表面； 位于所述凹槽内与所述P型半导体层连接的P电极；位于所述Mini-LED芯片的另一条短边一侧的，且与所述N型半导体层连接的N电极； 其中，所述多量子阱层基于对称轴为对称结构，所述对称轴为两条短边的中点连线。
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