上海艾为电子技术股份有限公司郭海军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海艾为电子技术股份有限公司申请的专利一种芯片堆叠封装结构及电子设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223987324U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423174061.8,技术领域涉及:H10D80/20;该实用新型一种芯片堆叠封装结构及电子设备是由郭海军;刘巍;付金铭;袁鹏;施俊飞设计研发完成,并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片堆叠封装结构及电子设备在说明书摘要公布了:本申请提供了一种芯片堆叠封装结构及电子设备,适用于半导体封装技术领域。该结构包括基板和设于基板上的芯片结构,芯片结构包括第一MOS芯片、第二MOS芯片和导电引线;基板、第一MOS芯片和第二MOS芯片沿第一方向依次堆叠;并且基板、第一MOS芯片和第二MOS芯片依次电连接;导电引线的一端连接第二MOS芯片,另一端连接基板。如此,能够在保证阻抗较小的情况下减小芯片堆叠封装结构的封装尺寸,减小芯片堆叠封装结构在电子设备中的占用面积。
本实用新型一种芯片堆叠封装结构及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括基板和设于所述基板上的芯片结构,所述芯片结构包括第一MOS芯片、第二MOS芯片和导电引线; 所述基板、所述第一MOS芯片和所述第二MOS芯片沿第一方向依次堆叠;并且所述基板、所述第一MOS芯片和所述第二MOS芯片依次电连接; 所述导电引线的一端连接所述第二MOS芯片,另一端连接所述基板; 所述第一MOS芯片包括第一基体和设于所述第一基体上的第一芯片电路; 所述第二MOS芯片包括第二基体和设于所述第二基体上的第二芯片电路; 所述芯片结构包括第一连接结构,所述第一连接结构包括设置在所述基板表面的第一子结构和设置在所述第一芯片电路表面的第二子结构,所述第一芯片电路通过所述第一子结构和所述第二子结构与所述基板沿所述第一方向连接,所述第一基体与所述第二基体沿所述第一方向连接,所述第二芯片电路与所述导电引线的一端连接; 所述第二子结构与所述第一MOS芯片的第一源极引脚、所述第一MOS芯片的第二源极引脚、所述第一MOS芯片的第一栅极引脚和所述第一MOS芯片的第二栅极引脚连接; 所述导电引线的数量为四条,四条所述导电引线的一端分别与所述第二MOS芯片的第一源极引脚、所述第二MOS芯片的第二源极引脚、所述第二MOS芯片的第一栅极引脚和所述第二MOS芯片的第二栅极引脚连接,四条所述导电引线的另一端与所述第一子结构连接。
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