武汉华星光电技术有限公司陈喆培获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223986265U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520652820.2,技术领域涉及:G02F1/1362;该实用新型阵列基板及显示面板是由陈喆培;李秀妍;田超;艾飞设计研发完成,并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板及显示面板,包括阵列基板,包括基板、多条扫描线、多条数据线以及多个像素单元,像素单元包括薄膜晶体管、转接电极及像素电极,薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极;通过设置位于所述行方向上的相邻两个所述转接电极以所述数据线与扫描线的交叉部分呈中心对称,位于所述行方向上的相邻两个所述薄膜晶体管的漏极以所述数据线与扫描线的交叉部分呈中心对称,位于所述行方向上的相邻两个所述像素电极对称,使得位于所述行方向上的两个第一过孔与扫描线的重叠的宽度的总量能够保持不变,以改善由于扫描线的对位不准导致的显示面板的漏光的问题,从而提升显示面板的出光的光效。
本实用新型阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括: 基板; 多条扫描线,多条所述扫描线沿着列方向间隔设置于所述基板上; 多条数据线,多条所述数据线沿着行方向间隔设置于所述基板上; 多个像素单元,所述像素单元设置在相邻两条所述数据线之间,所述像素单元包括薄膜晶体管、转接电极及像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接,所述薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接,所述转接电极通过贯穿所述转接电极所在的膜层与所述薄膜晶体管的漏极所在的膜层之间的第一过孔与所述漏极电连接,所述像素电极通过贯穿所述像素电极所在的膜层与所述转接电极所在的膜层之间的第二过孔与所述转接电极电连接,位于所述行方向上的相邻两个所述转接电极以所述数据线与扫描线的交叉部分呈中心对称,位于所述行方向上的相邻两个所述薄膜晶体管的漏极以所述数据线与扫描线的交叉部分呈中心对称,位于所述行方向上的相邻两个所述像素电极对称设置; 其中,在所述阵列基板的俯视图中,所述扫描线的一部分与所述第一过孔的一部分重叠。
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