芯恩(青岛)集成电路有限公司王通获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利膜厚标准片及其制备方法、膜厚测量设备的校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311465420.2，技术领域涉及：C23C14/54；该发明授权膜厚标准片及其制备方法、膜厚测量设备的校准方法是由王通;王杰设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本膜厚标准片及其制备方法、膜厚测量设备的校准方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种膜厚标准片及其制备方法、膜厚测量设备的校准方法。该膜厚标准片中，在基片上形成有凹槽和或凸起，并使薄膜层覆盖该凹槽和或凸起，从而可根据凹槽和或凸起在覆盖薄膜层前后的尺寸变化，以准确的获得该标准片上的薄膜层的厚度值，满足标准片的要求。本发明提供的膜厚标准片可以直接利用现有的设备制备得到，大大降低了标准片的成本。此外，针对标准片上同时形成有至少两个不同厚度等级的校准区域的情况下，即可利用同一标准片进行多个不同厚度的校准过程，进一步节省了标准片的开支，同时还避免了多个标准片的换片过程，提高了设备的校准效率，并可降低换片过程中容易引起的破片风险。
本发明授权膜厚标准片及其制备方法、膜厚测量设备的校准方法在权利要求书中公布了：1.一种膜厚标准片，其特征在于，包括：基片和形成在所述基片上的薄膜层，所述基片上具有至少一个校准区域，所述薄膜层至少覆盖所述校准区域；其中， 所述基片的所述校准区域内形成有至少一个凹槽和至少一个凸起，所述凹槽具有第一开口尺寸，所述薄膜层覆盖所述凹槽和所述基片的顶表面，所述薄膜层覆盖所述凹槽而使所述凹槽的开口区域缩减至第二开口尺寸，根据所述第一开口尺寸和所述第二开口尺寸的差值获取所述薄膜层的第一厚度值；所述凸起具有第一宽度尺寸，所述薄膜层覆盖所述凸起和所述基片的顶表面，所述薄膜层覆盖所述凸起而形成第二宽度尺寸，根据所述第二宽度尺寸和所述第一宽度尺寸的差值获取所述薄膜层的第二厚度值，并基于所述第一厚度值和所述第二厚度值的平均值得到所述薄膜层的厚度值；且所述第一厚度值和所述第二厚度值的差值绝对值小于等于预设阈值。
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