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龙图腾网获悉瑞芯微电子股份有限公司申请的专利温度感测方法、温度传感器及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118190194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410302159.2，技术领域涉及：G01K7/34；该发明授权温度感测方法、温度传感器及芯片是由王历平;徐华兵;郑发耀设计研发完成，并于2024-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本温度感测方法、温度传感器及芯片在说明书摘要公布了：本公开提供温度感测方法、温度传感器及芯片。所述温度感测方法包括：对第一电容器和第二电容器进行充电；使第一电容器通过第一晶体管放电，同时使第二电容器通过第二晶体管放电；停止使第二电容器通过第二晶体管放电，而是使第二电容器与第三电容器并联使得第二电容器的电压下降；响应于第一电容器的电压开始高于第二电容器的电压，使计数器开始计数，将开始计数的时刻确定为第一时刻；将第一电容器的电压通过第一晶体管放电下降至第二电容器的电压的时刻确定为第二时刻；以及根据第一时刻、第二时刻和预设函数关系确定感测温度。本公开可以在无需校准的提前下获得相对较高的温度精度。

本发明授权温度感测方法、温度传感器及芯片在权利要求书中公布了：1.一种温度感测方法，其特征在于，包括： 对第一电容器和第二电容器进行充电； 使所述第一电容器通过第一晶体管放电，同时使所述第二电容器通过第二晶体管放电； 停止使所述第二电容器通过所述第二晶体管放电，而是使所述第二电容器与第三电容器并联使得所述第二电容器的电压下降； 响应于所述第一电容器的电压开始高于所述第二电容器的电压，使计数器开始计数，将开始计数的时刻确定为第一时刻； 将所述第一电容器的电压通过所述第一晶体管放电下降至所述第二电容器的电压的时刻确定为第二时刻；以及 根据所述第一时刻、所述第二时刻和预设函数关系确定感测温度， 其中所述预设函数关系表示为：，常数项是硅的带隙电压、晶体管理想因子、玻尔兹曼常数及单位电荷量组成的关系式，x是指所述第二时刻下对晶体管的采样电压与采样电压差之间的倍数关系，所述采样电压差是指所述第一时刻与所述第二时刻下对晶体管的采样电压差，N是指所述第一电容器的容值、所述第二电容器的容值、所述第一时刻和所述第二时刻形成的比例关系式， 其中所述预设函数关系中N表示为：N=第一电容器的容值C1×第二时刻ts2第二电容器的容值C2×第一时刻ts1， 其中所述预设函数关系中x表示为：x=第一时刻的第二电容器的电压VC1-第二时刻的第二电容器的电压VC2第一时刻的第二电容器的电压VC1，且x=第三电容器的容值C3第二电容器的容值C2+第三电容器的容值C3。

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