北京北方华创真空技术有限公司尹翔获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创真空技术有限公司申请的专利一种蒸镀用电子束偏置设计方法及蒸镀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117144303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311187385.2，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种蒸镀用电子束偏置设计方法及蒸镀设备是由尹翔;张艳鹏;刘旭设计研发完成，并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蒸镀用电子束偏置设计方法及蒸镀设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种蒸镀用电子束偏置设计方法及蒸镀设备，涉及蒸镀的技术领域，包括如下步骤：确定入射角度初始值θ；根据入射角度初始值θ计算出电子束的偏转半径R；根据电子束偏转半径R确定磁感应强度B值；建立带电粒子移动轨迹的追踪模型；将所述磁感应强度B作为拟定磁感应强度B’，以及偏转半径R带入追踪模型进行带电粒子移动轨迹追踪模拟得到入射角度模拟值β；判断入射角度模拟值β与入射角度初始值θ是否一致；若否，调整磁感应强度B值，将调整后的磁感应强度B值作为所述拟定磁感应强度B’，重复步骤S5‑S6至入射角度模拟值β与入射角度初始值θ一致。本申请提供了一种设计方法以改变电子束轰击坩埚的入射角度。
本发明授权一种蒸镀用电子束偏置设计方法及蒸镀设备在权利要求书中公布了：1.一种蒸镀用电子束偏置设计方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：确定入射角度初始值θ； S2：通过CAD软件对蒸镀设备内部结构进行建模，并模拟预期电子束偏置运动轨迹，根据所述入射角度初始值θ计算出电子束的偏转半径R； S3：根据所述电子束偏转半径R确定磁感应强度B值，偏转半径R与磁感应强度B之间的函数关系式为：其中，u为电子束加速电压； S4：建立带电粒子移动轨迹的追踪模型，使用comsol软件中的带电粒子追踪模块，设置粒子属性以及入射速度； S5：将所述磁感应强度B作为拟定磁感应强度B’，以及偏转半径R带入追踪模型进行带电粒子移动轨迹追踪模拟得到入射角度模拟值β； S6：判断入射角度模拟值β与入射角度初始值θ是否一致； S7：若否，调整磁感应强度B值，将调整后的磁感应强度B值作为所述拟定磁感应强度B’，重复步骤S5-S6至入射角度模拟值β与入射角度初始值θ一致。
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