福建师范大学谭小地获国家专利权
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龙图腾网获悉福建师范大学申请的专利NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116903777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310865530.1，技术领域涉及：C08F220/14；该发明授权NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法是由谭小地;李庆东;林枭;吴俊辉设计研发完成，并于2023-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及全息存储材料技术领域，具体涉及NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法。该NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，原料包括NVP、MMA、PQ和AIBN。在PQ\PMMA中掺杂NVP，以实现光致聚合物材料作为全息存储的优良介质。该材料制备工艺简单，价格低廉，有较高的衍射效率和感光灵敏度，相较于PQ\PMMA可以更好地用于全息成像及数据存储领域。
本发明授权NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NVP掺杂PQ\PMMA光致聚合物全息存储材料，其特征在于，包括NVP、MMA、PQ和AIBN，所述NVP、MMA、AIBN和PQ的质量比为0.08~0.12：100：1：1。
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