福建省晋华集成电路有限公司罗启仁获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116884945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310643682.7，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权半导体器件及其制作方法是由罗启仁;颜逸飞设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括衬底、栅极结构、电介质层、插塞孔、插塞间隙壁、金属硅化物层及插塞。栅极结构设置在衬底上，插塞孔设置在电介质层内并部分伸入衬底。插塞间隙壁设置在插塞孔的侧壁上，并暴露出衬底。金属硅化物层设置在插塞孔的底部，其中，部分的衬底夹设在金属硅化物层与插塞间隙壁之间。插塞设置在插塞孔内并物理性接触部分的衬底。如此，通过插塞间隙壁的设置准确地定位金属硅化物层的形成位置与深度，达到改善半导体器件表现的效果。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 栅极结构，设置在所述衬底上； 电介质层，设置在所述衬底上并覆盖所述栅极结构； 插塞孔，设置在所述电介质层内并部分伸入所述衬底； 插塞间隙壁，设置在所述插塞孔的侧壁上，并暴露出部分的所述衬底； 金属硅化物层，设置在所述插塞孔的底部，所述金属硅化物层包括不连续结构，其中，所述部分的所述衬底夹设在所述金属硅化物层与所述插塞间隙壁之间；以及 插塞，设置在所述插塞孔内并物理性接触所述部分的所述衬底； 还包括：掺杂区，设置在所述衬底内并位在所述栅极结构的相对两侧，所述插塞物理性接触所述掺杂区。
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