昆山鸿永微波科技有限公司万晶获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山鸿永微波科技有限公司申请的专利一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310103603.3，技术领域涉及：H01P1/207；该发明授权一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器是由万晶;梁晓新设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器，包括：至少一个硅腔谐振单元和至少一个槽线式双阻带谐振器，所述硅腔谐振单元包括从下到上依次叠加设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；每个所述硅腔谐振单元的边缘间隔设置有多个通孔；所述通孔上下贯穿对应的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；所述通孔的内侧表面设置有金属沉积层，所述槽线式双阻带谐振器包括形成在所述顶层金属层的第一槽线和第二槽线；所述第二槽线的一端与所述第一槽线的中点连通；所述第二槽线的另一端进行收圈处理成闭环结构。通过上述方式，本发明所述的通带内插损改进的双边带硅基滤波器，提高了带外抑制度，降低了通带内的插损。
本发明授权一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器在权利要求书中公布了：1.一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器，其特征在于，包括： 至少一个硅腔谐振单元，所述硅腔谐振单元包括从下到上依次叠加设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；每个所述硅腔谐振单元的边缘间隔设置有多个通孔；所述通孔上下贯穿对应的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；所述通孔的内侧表面设置有金属沉积层； 至少一个槽线式双阻带谐振器，所述槽线式双阻带谐振器包括形成在所述顶层金属层的第一槽线和第二槽线；所述第二槽线的一端与所述第一槽线的中点连通；所述第二槽线的另一端进行收圈处理成闭环结构，将槽线端散发的电磁场收回槽线内，减少了电磁能量的损耗，改善了双边带硅基滤波器通带内的插损，硅腔谐振单元的数量为多个时，呈矩阵排列，同一行相邻两个硅腔谐振单元共用一个槽线式双阻带谐振器。
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