中国科学院微电子研究所韩丹丹获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116594262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310396852.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法及装置是由韩丹丹;韦亚一设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法及装置，涉及半导体制造领域。方法包括：获取表面等离子体灰度光刻系统在蝴蝶结纳米孔径开口处的场强空间分布特性；基于所述场强空间分布特性确定所述场强空间分布特性和蝴蝶结纳米孔径间隙大小的对应关系；基于所述场强空间分布特性和间隙大小的对应关系对所述表面等离子体灰度光刻系统的曝光剂量进行灰度化调控，确定目标三维微纳结构对应的灰度曝光输入图形；将所述灰度曝光输入图形输入至所述表面等离子体灰度光刻系统的光刻成像模型和光刻胶成像模型进行曝光处理，确定曝光图形对应的图形质量参数，能够极大地提高三维微纳结构的曝光质量，具有较大的实际应用性。
本发明授权基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于表面等离子体灰度光刻系统的三维微纳结构制造方法，其特征在于，所述方法包括： 获取表面等离子体灰度光刻系统在蝴蝶结纳米孔径开口处的场强空间分布特性； 基于所述场强空间分布特性确定所述场强空间分布特性和蝴蝶结纳米孔径间隙大小的对应关系； 基于所述场强空间分布特性和间隙大小的对应关系对所述表面等离子体灰度光刻系统的曝光剂量进行灰度化调控，确定目标三维微纳结构对应的灰度曝光输入图形； 将所述灰度曝光输入图形输入至所述表面等离子体灰度光刻系统的光刻成像模型和光刻胶成像模型进行曝光处理，确定曝光图形对应的图形质量参数。
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